Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 6

ZHB6792TC

Teilbestand: 4496

Transistortyp: 2 NPN, 2 PNP (H-Bridge), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT1147TA

Teilbestand: 4500

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 380mV @ 50mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ULN2003V12T16-13

Teilbestand: 155544

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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Diodes Incorporated

ZXTD4591AM832TA

Teilbestand: 6458

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 500mA, 5V / 300 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

MMDT4413-7-F

Teilbestand: 144827

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT6790TC

Teilbestand: 4397

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A / 750mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V / 300 @ 10mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT690TC

Teilbestand: 4459

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

DN0150ADJ-7

Teilbestand: 192795

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 250mV @ 10mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 2mA, 6V,

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Diodes Incorporated

ZXTDC3M832TA

Teilbestand: 4621

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 320mV @ 200mA, 4A / 370mV @ 250mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 2A, 2V / 60 @ 1.5A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT6758TC

Teilbestand: 4490

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 10mA, 100mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 200mA, 10V,

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Diodes Incorporated

LBN150B01-7

Teilbestand: 252

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 360mV @ 20mA, 200mA / 500mV @ 20mA, 200mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 100mA, 1V / 32 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

DMMT3906WQ-7-F

Teilbestand: 143964

Transistortyp: 2 PNP (Dual) Matched Pair, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Diodes Incorporated

ZXTD4591E6TC

Teilbestand: 4494

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A / 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V,

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Diodes Incorporated

MMDT5401-7

Teilbestand: 4476

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZDT705TA

Teilbestand: 4624

Transistortyp: 2 PNP Darlington (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 2mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 3000 @ 1A, 5V,

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Diodes Incorporated

ZDT617TA

Teilbestand: 4582

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT717TC

Teilbestand: 4478

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 220mV @ 50mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 100mA, 2V,

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Diodes Incorporated

MMDT5401Q-7-F

Teilbestand: 179

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZXTC6718MCQTA

Teilbestand: 153394

Transistortyp: NPN, PNP, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V,

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Diodes Incorporated

MMDT3906-7

Teilbestand: 4376

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 50mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

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Diodes Incorporated

ZXT12N20DXTC

Teilbestand: 4485

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZXTD2M832TA

Teilbestand: 4493

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 350mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ULN2002AS16-13

Teilbestand: 177536

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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Diodes Incorporated

ZDT619TA

Teilbestand: 4472

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 50mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

DST847BDJ-7

Teilbestand: 122028

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZXTDB2M832TA

Teilbestand: 4396

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ZDT649TC

Teilbestand: 4459

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 200mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

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Diodes Incorporated

MMDT2907A-7

Teilbestand: 4520

Transistortyp: 2 PNP (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 600mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ULN2003AD16-U

Teilbestand: 122050

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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Diodes Incorporated

ULN2003AS16-13

Teilbestand: 190957

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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Diodes Incorporated

MMDT5451-7

Teilbestand: 4477

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 160V, 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 200mV @ 5mA, 50mA / 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V / 60 @ 10mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZXTC6720MCTA

Teilbestand: 181229

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3.5A, 2.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 340mV @ 300mA, 3.5A / 270mV @ 200mA, 1.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 300 @ 200mA, 2V / 40 @ 1.5A, 5V,

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Diodes Incorporated

ZDT694TA

Teilbestand: 129831

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 400mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 400 @ 200mA, 2V,

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Diodes Incorporated

ZXTDBM832TA

Teilbestand: 4560

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 270mV @ 125mA, 4.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V,

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Diodes Incorporated

ULN2003F12FN-7

Teilbestand: 137824

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA,

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Diodes Incorporated

ZXTC6718MCTA

Teilbestand: 158453

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4.5A, 3.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 125mA, 4.5A / 300mV @ 350mA, 3.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2A, 2V / 150 @ 2A, 2V,

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