Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 52

MBR2150VG-E1

Teilbestand: 130383

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SF10CG-A

Teilbestand: 2642

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Diodes Incorporated

SF10HG-A

Teilbestand: 2592

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 500V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Diodes Incorporated

MBR5H150VP-G1

Teilbestand: 126019

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5H150VPB-G1

Teilbestand: 145723

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5H150VPA-G1

Teilbestand: 103405

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

PR6004-T

Teilbestand: 175200

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

PR1503S-A

Teilbestand: 2574

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

SF10GG-A

Teilbestand: 2561

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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Diodes Incorporated

MBR2150VRTR-E1

Teilbestand: 134006

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SF10FG-A

Teilbestand: 2570

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 40ns,

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Diodes Incorporated

MBR5200VPTR-E1

Teilbestand: 175082

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5200VPB-G1

Teilbestand: 126208

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5200VP-E1

Teilbestand: 161305

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5H150VP-E1

Teilbestand: 124410

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SF10BG-A

Teilbestand: 2624

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Diodes Incorporated

PR1505S-A

Teilbestand: 2572

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 250ns,

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Diodes Incorporated

MBR5200VPC-E1

Teilbestand: 171694

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR5H150VPB-E1

Teilbestand: 188034

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

PR6002-T

Teilbestand: 195894

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

PR1501S-A

Teilbestand: 2612

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

SD945-A

Teilbestand: 2622

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 9A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 570mV @ 18A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR5H150VPA-E1

Teilbestand: 128796

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR5200VPTR-G1

Teilbestand: 191377

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

SF10JG-A

Teilbestand: 2574

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Diodes Incorporated

MBR3100VP-G1

Teilbestand: 145163

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR5200VPBTR-E1

Teilbestand: 162031

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR5200VPBTR-G1

Teilbestand: 199574

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR2150VG-G1

Teilbestand: 100221

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR3100VP-E1

Teilbestand: 161750

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR2150VGTR-G1

Teilbestand: 180888

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

MBR5H150VPC-E1

Teilbestand: 196211

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SB150-B

Teilbestand: 2284

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

MBR3100VPTR-G1

Teilbestand: 139257

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

Diodes Incorporated

SB160-B

Teilbestand: 2301

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 700mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SB120-B

Teilbestand: 5587

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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