Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 52

PDS5100HQ-13

Teilbestand: 125229

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 710mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

S3JB-13-F

Teilbestand: 181631

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

ES2G-13-F

Teilbestand: 198834

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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Diodes Incorporated

PDS360-13

Teilbestand: 139075

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

DFLS130-7

Teilbestand: 140965

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 420mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

S3D-13-F

Teilbestand: 162194

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

RS2G-13-F

Teilbestand: 193975

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

PD3S160Q-7

Teilbestand: 151880

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 640mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SBRT15U50SP5-13

Teilbestand: 180930

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

S3AB-13-F

Teilbestand: 148711

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SBR0560S1-7

Teilbestand: 127628

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 500mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 500mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SBR1U40LP-7

Teilbestand: 152237

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 490mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

DFLR1600-7

Teilbestand: 168791

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SBR2U150SA-13

Teilbestand: 121575

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 800mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

US1MDFQ-13

Teilbestand: 196192

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Diodes Incorporated

SBRT5A50SA-13

Teilbestand: 118701

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

ZHCS400TC

Teilbestand: 71217

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 400mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

PDS4150-13

Teilbestand: 131736

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 760mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

S3BB-13-F

Teilbestand: 157801

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 3A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

DL4936-13-F

Teilbestand: 155272

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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Diodes Incorporated

DFLS260Q-7

Teilbestand: 197920

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 620mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

ES3BB-13-F

Teilbestand: 121663

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 900mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Diodes Incorporated

S1KB-13-F

Teilbestand: 120438

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 1A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3µs,

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Diodes Incorporated

RS1DB-13-F

Teilbestand: 156146

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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Diodes Incorporated

PDR5G-13

Teilbestand: 199089

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3.3µs,

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Diodes Incorporated

SBR0220T5-7

Teilbestand: 199371

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 470mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Diodes Incorporated

SBR15U50SP5-13

Teilbestand: 141778

Diodentyp: Super Barrier, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

SDM160S1FQ-7

Teilbestand: 156003

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 530mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

DFLS1200Q-7

Teilbestand: 124113

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 850mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

ES2BA-13-F

Teilbestand: 175493

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Diodes Incorporated

SD103CWS-7-F

Teilbestand: 109803

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 350mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 200mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 10ns,

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Diodes Incorporated

US1D-13-F

Teilbestand: 109529

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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Diodes Incorporated

MURS320-13-F

Teilbestand: 172273

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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Diodes Incorporated

ZLLS410TA

Teilbestand: 125057

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 10V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 570mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 380mV @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 3ns,

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Diodes Incorporated

PD3S230H-7

Teilbestand: 125436

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Diodes Incorporated

RS3AB-13-F

Teilbestand: 158717

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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