Transistoren - Bipolar (BJT) - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 40

BC817-16

Teilbestand: 5544

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BC847BT-7

Teilbestand: 5451

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC857BT-7

Teilbestand: 5480

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC857AT-7

Teilbestand: 6553

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC817-40-7

Teilbestand: 5477

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BC817-25-7

Teilbestand: 5463

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BC807-25-7

Teilbestand: 5455

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BC807-16-7

Teilbestand: 5494

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BC817-16-7

Teilbestand: 5455

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BST40TA

Teilbestand: 5476

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

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Diodes Incorporated

BF621TA

Teilbestand: 5477

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 25mA, 20V,

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Diodes Incorporated

BCV48TA

Teilbestand: 5485

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10000 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC868TA

Teilbestand: 5455

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BCV29TA

Teilbestand: 6573

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 100µA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20000 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BST61TA

Teilbestand: 5485

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

BC869TA

Teilbestand: 5451

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 85 @ 500mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BCX19TA

Teilbestand: 5464

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BSR31TA

Teilbestand: 5481

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BCP69TA

Teilbestand: 5394

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BSP19TA

Teilbestand: 5412

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BCP68TA

Teilbestand: 6595

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 500mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BCX5616QTA

Teilbestand: 198456

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

BCP5216TA

Teilbestand: 187933

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

BC807-25-7-F

Teilbestand: 186710

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 160 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BSR43TA

Teilbestand: 132247

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC847AW-7-F

Teilbestand: 146392

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC56-16PA-7

Teilbestand: 124698

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

BC857AW-7-F

Teilbestand: 170050

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BC848A-7-F

Teilbestand: 140586

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V,

Wunschzettel

Diodes Incorporated

BCX17TA

Teilbestand: 5341

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 620mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 100mA, 1V,

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Diodes Incorporated

BCW61DTA

Teilbestand: 5294

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 32V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 550mV @ 1.25mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 380 @ 2mA, 5V,

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Diodes Incorporated

BCP5210TA

Teilbestand: 181883

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 63 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

BCX51TA

Teilbestand: 163221

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 45V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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Diodes Incorporated

BST15TA

Teilbestand: 6579

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

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Diodes Incorporated

BST51TA

Teilbestand: 5175

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.3V @ 500µA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

BCP52TA

Teilbestand: 134205

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 2V,

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