Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Zuhause
Dioden - Gleichrichter - Einzeln

GeneSiC Semiconductor

FR85DR02

Teilbestand: 7995

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR30MR05

Teilbestand: 9627

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

SD41R

Teilbestand: 6549

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBRH24035R

Teilbestand: 30

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S400K

Teilbestand: 1975

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 400A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR7060

Teilbestand: 7555

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.7V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR16GR05

Teilbestand: 13464

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

GKR130/14

Teilbestand: 3092

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR6M05

Teilbestand: 12958

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 6A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S25KR

Teilbestand: 13900

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 25A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S40DR

Teilbestand: 14101

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 40A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR7040R

Teilbestand: 7580

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MURH10010

Teilbestand: 3674

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBR80100R

Teilbestand: 5432

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR5060

Teilbestand: 7628

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 90ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBR8030

Teilbestand: 5443

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S320MR

Teilbestand: 2048

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBRH24035

Teilbestand: 69

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR30B02

Teilbestand: 9643

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR2510R

Teilbestand: 8698

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR2540

Teilbestand: 9597

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 25A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 25A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR70B05

Teilbestand: 9593

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBR8020

Teilbestand: 5398

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBRH200150R

Teilbestand: 2466

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 200A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 200A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR20BR02

Teilbestand: 9648

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR40BR02

Teilbestand: 12150

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBRH12035R

Teilbestand: 2876

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S85G

Teilbestand: 9574

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 85A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR5020

Teilbestand: 7584

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 50A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

FR40DR02

Teilbestand: 9956

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBR7545

Teilbestand: 5434

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 75A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBR7580R

Teilbestand: 5440

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 75A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MBRH120200R

Teilbestand: 2763

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

GKR130/04

Teilbestand: 3067

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

MUR7020

Teilbestand: 7564

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

Wunschzettel

GeneSiC Semiconductor

S16B

Teilbestand: 19985

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

Wunschzettel

745

«
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
»