Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 21

GKN240/12

Teilbestand: 2355

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S300J

Teilbestand: 2052

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR6045

Teilbestand: 5433

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S320JR

Teilbestand: 1959

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 300A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120100R

Teilbestand: 2683

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/04

Teilbestand: 3738

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN71/16

Teilbestand: 12880

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16JR05

Teilbestand: 13647

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40B02

Teilbestand: 9617

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

S150MR

Teilbestand: 2539

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH10040R

Teilbestand: 3710

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 90ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR85B02

Teilbestand: 7804

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 85A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBR8020R

Teilbestand: 5366

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 750mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MURH7005R

Teilbestand: 117

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12020

Teilbestand: 2900

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70G

Teilbestand: 9616

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S380Z

Teilbestand: 1964

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 2000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 380A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 380A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH24040R

Teilbestand: 64

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S70YR

Teilbestand: 9576

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 70A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH12035

Teilbestand: 2861

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR20A02

Teilbestand: 9627

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 200ns,

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GeneSiC Semiconductor

GKN130/12

Teilbestand: 3687

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 165A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH240150

Teilbestand: 50

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 880mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBRH120100

Teilbestand: 2716

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 120A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 840mV @ 120A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKR71/14

Teilbestand: 9573

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S6J

Teilbestand: 18937

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 6A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

MBR7530

Teilbestand: 5447

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 30V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 650mV @ 75A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

GKN240/14

Teilbestand: 2352

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 320A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 60A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

SD41

Teilbestand: 6564

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 35V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 680mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

S150J

Teilbestand: 2509

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 150A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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GeneSiC Semiconductor

FR16BR05

Teilbestand: 12966

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR70MR05

Teilbestand: 9655

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40K05

Teilbestand: 9575

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR30KR05

Teilbestand: 9582

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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GeneSiC Semiconductor

MUR7005R

Teilbestand: 7621

Diodentyp: Standard, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 70A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 70A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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GeneSiC Semiconductor

FR40G05

Teilbestand: 9612

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 40A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 40A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 500ns,

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