Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

BSC042N03ST

Teilbestand: 9859

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC022N03SG

Teilbestand: 9828

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 50A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC032N03SG

Teilbestand: 9784

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 50A, 10V,

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BSS87H6327FTSA1

Infineon Technologies

BSS87H6327FTSA1

Teilbestand: 136036

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

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BSP372NH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSP372NH6327XTSA1

Teilbestand: 155568

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 230 mOhm @ 1.8A, 10V,

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BSP317PH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSP317PH6327XTSA1

Teilbestand: 104749

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

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BSS131H6327XTSA1

Infineon Technologies

BSS131H6327XTSA1

Teilbestand: 104930

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

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BSS816NWH6327XTSA1

Infineon Technologies

BSS816NWH6327XTSA1

Teilbestand: 107424

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 1.4A, 2.5V,

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BSD314SPEL6327HTSA1

Infineon Technologies

BSD314SPEL6327HTSA1

Teilbestand: 9425

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 1.5A, 10V,

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BSP299L6327HUSA1

Infineon Technologies

BSP299L6327HUSA1

Teilbestand: 9438

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 400mA, 10V,

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BSC883N03MSGATMA1

Infineon Technologies

BSC883N03MSGATMA1

Teilbestand: 9455

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 34V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Ta), 98A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC205N10LS G

Teilbestand: 6001

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.4A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20.5 mOhm @ 45A, 10V,

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BSO080P03SNTMA1

Infineon Technologies

BSO080P03SNTMA1

Teilbestand: 9401

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

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Infineon Technologies

BSS84PW L6327

Teilbestand: 9409

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 150mA, 10V,

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BSR315PL6327HTSA1

Infineon Technologies

BSR315PL6327HTSA1

Teilbestand: 9372

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 620mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 620mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSV236SP L6327

Teilbestand: 9341

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 175 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSS83PE6327

Teilbestand: 9352

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 330mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS670S2L

Teilbestand: 9299

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 540mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 270mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS209PW

Teilbestand: 9333

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 580mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 550 mOhm @ 580mA, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSS223PW L6327

Teilbestand: 9365

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 390mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 390mA, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSS192PE6327

Teilbestand: 9367

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP317PE6327

Teilbestand: 9376

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 430mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 430mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP171PE6327

Teilbestand: 9351

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP316PE6327

Teilbestand: 9340

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 680mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 680mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP170PE6327

Teilbestand: 9383

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.9A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO4822

Teilbestand: 9371

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 12.7A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO4420

Teilbestand: 9294

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 13A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO4410

Teilbestand: 9347

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 11.1A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO301SPNTMA1

Teilbestand: 9347

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO303SPNTMA1

Teilbestand: 128634

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 8.9A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO201SPNTMA1

Teilbestand: 9359

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 14.9A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSL307SP

Teilbestand: 9295

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 5.5A, 10V,

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Infineon Technologies

BSL211SP

Teilbestand: 9383

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 4.7A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSL207SP

Teilbestand: 9307

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 6A, 4.5V,

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BSC100N03LSGATMA1

Infineon Technologies

BSC100N03LSGATMA1

Teilbestand: 9307

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BTS282Z E3180A

Teilbestand: 9259

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 49V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 36A, 10V,

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