Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

BSP149L6327HTSA1

Teilbestand: 9308

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 660mA, 10V,

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Infineon Technologies

BTS115ANKSA1

Teilbestand: 9327

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 7.8A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BTS121ANKSA1

Teilbestand: 5999

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 9.5A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSS87E6327

Teilbestand: 9306

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 260mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS84P-E6327

Teilbestand: 9291

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS138N-E6327

Teilbestand: 9297

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 230mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS131E6327

Teilbestand: 5958

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 Ohm @ 100mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS123E6327

Teilbestand: 9340

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP315P-E6327

Teilbestand: 9320

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 1.17A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP88E6327

Teilbestand: 6015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP295E6327

Teilbestand: 9273

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP123L6327HTSA1

Teilbestand: 9323

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 370mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 370mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSP129E6327

Teilbestand: 9277

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSS119E6327

Teilbestand: 9332

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BUZ73

Teilbestand: 9337

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 400 mOhm @ 4.5A, 10V,

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Infineon Technologies

BUZ80A

Teilbestand: 9240

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 2A, 10V,

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Infineon Technologies

BUZ30A

Teilbestand: 9339

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 130 mOhm @ 13.5A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO119N03S

Teilbestand: 9316

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.9 mOhm @ 11A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP603S2LHUMA1

Teilbestand: 9273

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 2.6A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP89 E6327

Teilbestand: 9299

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 350mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSO094N03S

Teilbestand: 5998

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 13A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC094N03S G

Teilbestand: 9222

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14.6A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.4 mOhm @ 35A, 10V,

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Infineon Technologies

BSS192PE6327T

Teilbestand: 9246

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 190mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 190mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSO203SPNTMA1

Teilbestand: 9112

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 9A, 4.5V,

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Infineon Technologies

BSP296E6327

Teilbestand: 9197

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 1.1A, 10V,

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Infineon Technologies

BSO065N03MSGXUMA1

Teilbestand: 5958

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 16A, 10V,

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Infineon Technologies

BSS119L6433HTMA1

Teilbestand: 8614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSC340N08NS3GATMA1

Teilbestand: 192185

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), 23A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 12A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC16DN25NS3GATMA1

Teilbestand: 21544

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 5.5A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC011N03LSATMA1

Teilbestand: 21516

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 37A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSS84PH6433XTMA1

Teilbestand: 157151

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 170mA, 10V,

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Infineon Technologies

BSC052N03LSATMA1

Teilbestand: 21524

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), 57A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSP295H6327XTSA1

Teilbestand: 151737

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.8A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC0902NSATMA1

Teilbestand: 21516

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.6 mOhm @ 30A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC520N15NS3GATMA1

Teilbestand: 129091

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 18A, 10V,

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Infineon Technologies

BSC016N06NSTATMA1

Teilbestand: 21547

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 50A, 10V,

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