Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Infineon Technologies

IRLR3715PBF

Teilbestand: 1570

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14 mOhm @ 26A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPA50R650CE

Teilbestand: 1489

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 13V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 650 mOhm @ 1.8A, 13V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLMS1503TRPBF

Teilbestand: 165335

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V,

Wunschzettel

IPW60R070CFD7XKSA1

Infineon Technologies

IPW60R070CFD7XKSA1

Teilbestand: 10035

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 31A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 15.1A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLH6224TR2PBF

Teilbestand: 1354

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), 105A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 20A, 4.5V,

Wunschzettel

SPD50N03S207GBTMA1

Infineon Technologies

SPD50N03S207GBTMA1

Teilbestand: 1436

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

IPB60R600C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB60R600C6ATMA1

Teilbestand: 1422

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wunschzettel

IPB049N06L3GATMA1

Infineon Technologies

IPB049N06L3GATMA1

Teilbestand: 6214

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

IPB45N04S4L08ATMA1

Infineon Technologies

IPB45N04S4L08ATMA1

Teilbestand: 1227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 45A, 10V,

Wunschzettel

IPB60R385CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R385CPATMA1

Teilbestand: 1429

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 385 mOhm @ 5.2A, 10V,

Wunschzettel

IPD053N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD053N06N3GBTMA1

Teilbestand: 1420

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wunschzettel

IPB030N08N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB030N08N3GATMA1

Teilbestand: 9954

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLMS5703TRPBF

Teilbestand: 131194

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.6A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLU120NPBF

Teilbestand: 84219

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 185 mOhm @ 6A, 10V,

Wunschzettel

IPA65R190C6XKSA1

Infineon Technologies

IPA65R190C6XKSA1

Teilbestand: 38526

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wunschzettel

SPP80P06PHXKSA1

Infineon Technologies

SPP80P06PHXKSA1

Teilbestand: 12808

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 23 mOhm @ 64A, 10V,

Wunschzettel

IPI65R310CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R310CFDXKSA1

Teilbestand: 51281

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 310 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wunschzettel

IPI65R660CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R660CFDXKSA1

Teilbestand: 71643

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFR6215TRLPBF

Teilbestand: 130362

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 295 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel

IPI65R280C6XKSA1

Infineon Technologies

IPI65R280C6XKSA1

Teilbestand: 47019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wunschzettel

IPD042P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD042P03L3GBTMA1

Teilbestand: 1476

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.2 mOhm @ 70A, 10V,

Wunschzettel

IPP65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R600C6XKSA1

Teilbestand: 76169

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wunschzettel

IPB041N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB041N04NGATMA1

Teilbestand: 1446

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF8306MTRPBF

Teilbestand: 1248

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLMS6702TRPBF

Teilbestand: 167182

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 200 mOhm @ 1.6A, 4.5V,

Wunschzettel

IPP120N04S401AKSA1

Infineon Technologies

IPP120N04S401AKSA1

Teilbestand: 52617

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.9 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Infineon Technologies

IPB065N15N3GE8187ATMA1

Teilbestand: 1434

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPI100N04S4H2AKSA1

Infineon Technologies

IPI100N04S4H2AKSA1

Teilbestand: 72273

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPB023N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB023N06N3GATMA1

Teilbestand: 1448

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 140A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

SPD30N03S2L20GBTMA1

Infineon Technologies

SPD30N03S2L20GBTMA1

Teilbestand: 1400

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 18A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFP140NPBF

Teilbestand: 34443

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 33A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 16A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLTS2242TRPBF

Teilbestand: 144582

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 6.9A, 4.5V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF8306MTR1PBF

Teilbestand: 1377

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Ta), 140A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 23A, 10V,

Wunschzettel

IPB144N12N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB144N12N3GATMA1

Teilbestand: 9964

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.4 mOhm @ 56A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFR812PBF

Teilbestand: 1397

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 Ohm @ 2.2A, 10V,

Wunschzettel

IPB60R299CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R299CPATMA1

Teilbestand: 1478

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel

3600

«
54
55
56
57
58
59
60
61
62
63
»