Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

IPB022N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB022N04LGATMA1

Teilbestand: 1386

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.2 mOhm @ 90A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLR2905TRLPBF

Teilbestand: 165150

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 27 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFU3607PBF

Teilbestand: 40268

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 46A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF6898MTR1PBF

Teilbestand: 1392

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Ta), 213A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 mOhm @ 35A, 10V,

Wunschzettel

IPI50R299CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R299CPXKSA1

Teilbestand: 30953

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 299 mOhm @ 6.6A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFI540NPBF

Teilbestand: 41424

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF6894MTR1PBF

Teilbestand: 1349

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), 160A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 33A, 10V,

Wunschzettel

IPD60R520CPBTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520CPBTMA1

Teilbestand: 1477

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wunschzettel

IPW65R660CFDFKSA1

Infineon Technologies

IPW65R660CFDFKSA1

Teilbestand: 42282

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 660 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wunschzettel

IPI65R420CFDXKSA1

Infineon Technologies

IPI65R420CFDXKSA1

Teilbestand: 64557

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wunschzettel

IPN70R750P7SATMA1

Infineon Technologies

IPN70R750P7SATMA1

Teilbestand: 9964

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 750 mOhm @ 1.4A, 10V,

Wunschzettel

IPI80N04S4L04AKSA1

Infineon Technologies

IPI80N04S4L04AKSA1

Teilbestand: 96724

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

IPB052N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB052N04NGATMA1

Teilbestand: 1431

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 70A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFB7530PBF

Teilbestand: 22543

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 195A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPD250N06N3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD250N06N3GBTMA1

Teilbestand: 1440

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 28A, 10V,

Wunschzettel

IPB023N04NGATMA1

Infineon Technologies

IPB023N04NGATMA1

Teilbestand: 6170

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 90A, 10V,

Wunschzettel

IPB110N20N3LFATMA1

Infineon Technologies

IPB110N20N3LFATMA1

Teilbestand: 18377

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 88A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 88A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRLH7134TR2PBF

Teilbestand: 1435

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), 85A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFB7540PBF

Teilbestand: 42181

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.1 mOhm @ 65A, 10V,

Wunschzettel

IPB260N06N3GATMA1

Infineon Technologies

IPB260N06N3GATMA1

Teilbestand: 1437

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25.7 mOhm @ 27A, 10V,

Wunschzettel

IPD068P03L3GBTMA1

Infineon Technologies

IPD068P03L3GBTMA1

Teilbestand: 1389

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.8 mOhm @ 70A, 10V,

Wunschzettel

IPA65R600C6XKSA1

Infineon Technologies

IPA65R600C6XKSA1

Teilbestand: 76264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFR48ZTRLPBF

Teilbestand: 132108

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 37A, 10V,

Wunschzettel

IPP65R380C6XKSA1

Infineon Technologies

IPP65R380C6XKSA1

Teilbestand: 59867

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 3.2A, 10V,

Wunschzettel

IPD60R520C6BTMA1

Infineon Technologies

IPD60R520C6BTMA1

Teilbestand: 1417

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Wunschzettel

IPB093N04LGATMA1

Infineon Technologies

IPB093N04LGATMA1

Teilbestand: 1417

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

IPI50R250CPXKSA1

Infineon Technologies

IPI50R250CPXKSA1

Teilbestand: 48805

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 7.8A, 10V,

Wunschzettel

IPB65R280C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R280C6ATMA1

Teilbestand: 56772

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wunschzettel

IPB65R190C6ATMA1

Infineon Technologies

IPB65R190C6ATMA1

Teilbestand: 45430

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 190 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wunschzettel

IPB020N08N5ATMA1

Infineon Technologies

IPB020N08N5ATMA1

Teilbestand: 33910

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPP100N04S4H2AKSA1

Infineon Technologies

IPP100N04S4H2AKSA1

Teilbestand: 80220

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

IPB60R520CPATMA1

Infineon Technologies

IPB60R520CPATMA1

Teilbestand: 6152

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 3.8A, 10V,

Wunschzettel

IPN95R3K7P7ATMA1

Infineon Technologies

IPN95R3K7P7ATMA1

Teilbestand: 9929

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 950V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 Ohm @ 800mA, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPB097N08N3 G

Teilbestand: 1439

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.7 mOhm @ 46A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFSL4410ZPBF

Teilbestand: 23253

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 97A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9 mOhm @ 58A, 10V,

Wunschzettel

IPB65R420CFDATMA1

Infineon Technologies

IPB65R420CFDATMA1

Teilbestand: 1398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 420 mOhm @ 3.4A, 10V,

Wunschzettel

3600

«
56
57
58
59
60
61
62
63
64
65
»