Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 100

IPP120N06S402AKSA1

Teilbestand: 912

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPI80N06S405AKSA1

Teilbestand: 78629

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF7413GTRPBF

Teilbestand: 942

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 7.3A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFH5104TRPBF

Teilbestand: 991

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF7604TRPBF

Teilbestand: 944

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.4A, 4.5V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPP80P03P4L07AKSA1

Teilbestand: 82305

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.2 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFHS8242TR2PBF

Teilbestand: 1038

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.9A (Ta), 21A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 mOhm @ 8.5A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFP4321PBF

Teilbestand: 17543

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 78A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15.5 mOhm @ 33A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPP120N06S4H1AKSA1

Teilbestand: 937

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF1405PBF

Teilbestand: 29820

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 169A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.3 mOhm @ 101A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFZ44NSTRLPBF

Teilbestand: 99769

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 49A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFS4010TRRPBF

Teilbestand: 932

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 106A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF6720S2TRPBF

Teilbestand: 1009

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 11A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF1902TRPBF

Teilbestand: 994

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 4A, 4.5V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPA60R520C6XKSA1

Teilbestand: 947

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.1A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 520 mOhm @ 2.8A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFH5306TR2PBF

Teilbestand: 901

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.1 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPB90N06S404ATMA1

Teilbestand: 6139

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 90A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFP4768PBF

Teilbestand: 9968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 250V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 93A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.5 mOhm @ 56A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPI023NE7N3 G

Teilbestand: 877

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPD65R600E6BTMA1

Teilbestand: 116795

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 2.1A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPW60R045CPFKSA1

Teilbestand: 1015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 44A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPS110N12N3GBKMA1

Teilbestand: 908

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFZ24NSTRLPBF

Teilbestand: 998

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF6614

Teilbestand: 945

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12.7A (Ta), 55A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.3 mOhm @ 12.7A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPI052NE7N3 G

Teilbestand: 884

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.2 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFR3504TRPBF

Teilbestand: 960

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.2 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPP65R280E6XKSA1

Teilbestand: 996

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 13.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 4.4A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPP60R600E6XKSA1

Teilbestand: 6165

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 2.4A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPB120N04S3-02

Teilbestand: 917

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF1407STRLPBF

Teilbestand: 55097

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 78A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFH8337TR2PBF

Teilbestand: 1145

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12.8 mOhm @ 16.2A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFB3077GPBF

Teilbestand: 968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IPP80N06S405AKSA1

Teilbestand: 78614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 80A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF1405ZSTRL7PP

Teilbestand: 979

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 88A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRF6711STR1PBF

Teilbestand: 961

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Ta), 84A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel

Infineon Technologies

IRFH5300TR2PBF

Teilbestand: 898

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel