Erinnerung

DS1230Y-200IND

Teilbestand: 111

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

DS1230AB-70

Teilbestand: 1654

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

DS1245Y-120IND+

Teilbestand: 1908

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 120ns,

DS2502X1+U

Teilbestand: 6190

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (128 x 8),

DS1245WP-100+

Teilbestand: 2099

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

DS1230YP-70+

Teilbestand: 2397

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

DS2502R+00B

Teilbestand: 8875

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (128 x 8),

DS2502R-00C+T&R

Teilbestand: 8924

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (128 x 8),

DS3645B

Teilbestand: 5536

DS2433X-300-EC#TW

Teilbestand: 1461

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1µs,

DS1230AB-70IND+

Teilbestand: 2589

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

DS24B33G+U

Teilbestand: 987

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16),

DS28CN01U-W0D+1T-C

Teilbestand: 8899

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (128 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 10ms,

DS1225AB-170+

Teilbestand: 3457

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 170ns,

DS1225Y-150+

Teilbestand: 3361

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS1345ABP-70+

Teilbestand: 2648

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 70ns,

DS1230Y-150+

Teilbestand: 2498

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS1345WP-150+

Teilbestand: 2540

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 1Mb (128K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS1330WP-150+

Teilbestand: 3617

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS1330WP-100+

Teilbestand: 3660

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

DS2501S-UNW-111B/T&R

Teilbestand: 1413

DS1225Y-200+

Teilbestand: 3240

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,

DS1230WP-100+

Teilbestand: 2908

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 256Kb (32K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 100ns,

DS1225Y-150IND+

Teilbestand: 3736

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS2502X1+UW

Teilbestand: 8013

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (128 x 8),

DS28E10P-W22+2TW

Teilbestand: 8019

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 224b (28 x 8),

DS1225AD-150+

Teilbestand: 3507

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 150ns,

DS2502AX-500-00/T&R/

Teilbestand: 5251

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EPROM, Technologie: EPROM - OTP, Speichergröße: 1Kb (128 x 8),

DS2432X-S+TW

Teilbestand: 7904

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (1K x 1),

DS28E15X+UW

Teilbestand: 8065

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 512b (512 x 1),

DS28E07+W

Teilbestand: 8084

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (256 x 4),

DS28E01G-100+T&R

Teilbestand: 4591

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 1Kb (256 x 4),

DS2433AX-S+TW

Teilbestand: 8012

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 4Kb (256 x 16),

DS28EL15Q-742+3TW

Teilbestand: 8078

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 512b (256 x 2),

DSQ09G5-004-740

Teilbestand: 6846

DS1225Y-200IND+

Teilbestand: 3594

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: NVSRAM, Technologie: NVSRAM (Non-Volatile SRAM), Speichergröße: 64Kb (8K x 8), Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 200ns,