Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

2N7002T-TP

Teilbestand: 199

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 Ohm @ 500mA, 10V,

2SK3019-TP

Teilbestand: 139344

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

2SK3018-TP

Teilbestand: 199518

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 10mA, 4V,

2N7002W-TP

Teilbestand: 160914

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 50mA, 5V,

2N7002K-TP

Teilbestand: 145706

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 340mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

2N7002-TP

Teilbestand: 117563

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

BSS138W-TP

Teilbestand: 114968

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 220mA, 10V,

SI2321-TP

Teilbestand: 115180

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 2.2A, 10V,

SI2306-TP

Teilbestand: 189216

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V,

SI3420-TP

Teilbestand: 115723

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 6A, 10V,

MCQ4438-TP

Teilbestand: 114964

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 7.9A, 4.5V,

SI3407-TP

Teilbestand: 134767

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V,

SI3420A-TP

Teilbestand: 156

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

SI3134KL-TP

Teilbestand: 170210

SI2305B-TP

Teilbestand: 209

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.2A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 2.7A, 4.5V,

SI1012-TP

Teilbestand: 171031

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 850 mOhm @ 500mA, 2.5V,

SI3415-TP

Teilbestand: 132810

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 4A, 4.5V,

SI3402-TP

Teilbestand: 197

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4A, 10V,

SI3139KL-TP

Teilbestand: 132867

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 680mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

MCMN2012-TP

Teilbestand: 132640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 9.7A, 4.5V,

MCQ4459-TP

Teilbestand: 170854

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 5A, 10V,

SI3139KE-TP

Teilbestand: 141129

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V,

SI2312-TP

Teilbestand: 155019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 41 mOhm @ 4.3A, 1.8V,

MCQ4410-TP

Teilbestand: 191838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

MCQ4406-TP

Teilbestand: 103834

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 10A, 4.5V,

MCQ4407-TP

Teilbestand: 147309

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

SI2333-TP

Teilbestand: 159552

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 500mA, 1.5V,

MCM1206-TP

Teilbestand: 100940

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 3.5A, 4.5V,

SI3134KE-TP

Teilbestand: 9989

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 650mA, 4.5V,

SI2302A-TP

Teilbestand: 9901

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

SI3415A-TP

Teilbestand: 9920

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4A, 4.5V,

MCM1208-TP

Teilbestand: 161005

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5A, 4.5V,

SI2303-TP

Teilbestand: 125133

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 2A, 4.5V,

SI2307-TP

Teilbestand: 125722

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 135 mOhm @ 2.6A, 4.5V,

MCQ9435-TP

Teilbestand: 181088

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 2A, 4.5V,

MCQ4822-TP

Teilbestand: 197766

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 6A, 4.5V,