Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

MCQ4435-TP

Teilbestand: 177277

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.1A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 9.1A, 10V,

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Micro Commercial Co

SI2304-TP

Teilbestand: 189065

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.2A, 4.5V,

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Micro Commercial Co

SI2310-TP

Teilbestand: 190258

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 3A, 4.5V,

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Micro Commercial Co

SI2305-TP

Teilbestand: 160152

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 8V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2A, 1.8V,

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Micro Commercial Co

SI3404-TP

Teilbestand: 8848

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 5.8A, 10V,

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Micro Commercial Co

SI3139K-TP

Teilbestand: 190002

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 660mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 950 mOhm @ 500mA, 10V,

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Micro Commercial Co

SI3400A-TP

Teilbestand: 24337

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 mOhm @ 5.8A, 10V,

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Micro Commercial Co

MCM1216-TP

Teilbestand: 126081

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 6.7A, 4.5V,

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Micro Commercial Co

SI2301-TP

Teilbestand: 190821

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 2.8A, 4.5V,

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Micro Commercial Co

SI2302-TP

Teilbestand: 193407

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 3.6A, 4.5V,

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Micro Commercial Co

SI3134K-TP

Teilbestand: 158865

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 750mA, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 800 mOhm @ 450mA, 1.8V,

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Micro Commercial Co

SI3434-TP

Teilbestand: 7268

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 42 mOhm @ 5A, 10V,

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