Erinnerung | Integrierte Schaltungen (ICs) | 100

34AA02-E/SN

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Microchip Technology

34LC02T-E/SN

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Microchip Technology

34AA02T-E/SN

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34AA02-I/MS

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Microchip Technology

34LC02-I/ST

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34LC02T-E/OT

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34AA02-I/ST

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34AA04T-I/SN

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34AA02T-I/MNY

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34AA02T-E/OT

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34LC02T-I/ST

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34AA02T-I/ST

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34AA02T-I/MS

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34LC02T-I/MNY

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34LC02T-I/MS

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34LC02-I/SN

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34AA02-I/SN

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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34LC02T-I/SN

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34AA02T-I/SN

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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34LC02T-I/OT

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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34AA02T-I/OT

Teilbestand: 134000

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EEPROM, Technologie: EEPROM, Speichergröße: 2Kb (256 x 8), Taktfrequenz: 400kHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 5ms,

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47L16-I/W16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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Microchip Technology

47L16-I/WF16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47L16-I/S16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47L04-I/S16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47L04-I/W16K

Teilbestand: 9136

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C16-I/WF16K

Teilbestand: 1900

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C16-I/S16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C04-I/WF16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C16-I/W16K

Teilbestand: 1851

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C04-I/W16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C04-I/S16K

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Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47L04-I/WF16K

Teilbestand: 6022

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 4Kb (512 x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C16-E/P

Teilbestand: 69144

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47L16-E/P

Teilbestand: 69165

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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47C16-I/P

Teilbestand: 75494

Speichertyp: Non-Volatile, Speicherformat: EERAM, Technologie: EEPROM, SRAM, Speichergröße: 16Kb (2K x 8), Taktfrequenz: 1MHz, Schreibzykluszeit - Wort, Seite: 1ms,

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