Transistoren - FETs, MOSFETs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 6

2N6661

Teilbestand: 6316

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

2N7008-G

Teilbestand: 138197

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

2N6660

Teilbestand: 6315

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 410mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

2N7002-G

Teilbestand: 134471

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 115mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

2N7000-G

Teilbestand: 187823

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VP0550N3-G-P013

Teilbestand: 53675

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 54mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 Ohm @ 10mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN2540N3-G-P002

Teilbestand: 74193

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MCP87030T-U/MF

Teilbestand: 103880

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MCP87050T-U/MF

Teilbestand: 146526

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VN0300L-G-P002

Teilbestand: 81152

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 640mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VN1206L-G-P002

Teilbestand: 58212

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0620N3-G-P002

Teilbestand: 71231

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN2130K1-G

Teilbestand: 145339

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 85mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 4.5V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VN0104N3-G-P013

Teilbestand: 139578

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN2640LG-G

Teilbestand: 51374

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VP2206N3-G-P003

Teilbestand: 46577

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 640mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 900 mOhm @ 3.5A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TP2502N8-G

Teilbestand: 77492

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 630mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TP2435N8-G

Teilbestand: 67130

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 231mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MCP87022T-U/MF

Teilbestand: 69227

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0610N3-G-P013

Teilbestand: 89494

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

LND150N3-G-P013

Teilbestand: 183588

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

DN1509N8-G

Teilbestand: 131170

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 90V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 360mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 200mA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0106N3-G-P003

Teilbestand: 112566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0604N3-G-P013

Teilbestand: 87261

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 750 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MCP87090T-U/LC

Teilbestand: 199305

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 48A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

DN2535N3-G-P013

Teilbestand: 124551

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 120mA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

LND150N3-G-P014

Teilbestand: 183620

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 0V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1000 Ohm @ 500µA, 0V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0610N3-G-P003

Teilbestand: 89433

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 Ohm @ 750mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TP2424N8-G

Teilbestand: 69759

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 316mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MCP87090T-U/MF

Teilbestand: 183616

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 64A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.5 mOhm @ 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN0104N3-G-P014

Teilbestand: 96882

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.8 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TP2520N8-G

Teilbestand: 72715

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 Ohm @ 200mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VN10KN3-G-P014

Teilbestand: 174398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 310mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

VN2460N3-G-P003

Teilbestand: 77538

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 Ohm @ 100mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

TN2425N8-G

Teilbestand: 77566

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 480mA (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel

Microchip Technology

MIC94051YM4-TR

Teilbestand: 191644

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 6V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 160 mOhm @ 100mA, 4.5V,

Wunschzettel