Transistoren - JFETs

MV2N4859

Teilbestand: 3465

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

MX2N4860UB

Teilbestand: 3432

MV2N4092

Teilbestand: 3479

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V,

JANTX2N4091

Teilbestand: 960

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V,

MX2N4859

Teilbestand: 3466

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

MV2N4858UB

Teilbestand: 3465

MV2N5114

Teilbestand: 3432

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA,

JANTX2N4092

Teilbestand: 876

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V,

MV2N4858

Teilbestand: 3499

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4858

Teilbestand: 3460

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N4392

Teilbestand: 3360

MX2N4858UB

Teilbestand: 3421

MV2N4857

Teilbestand: 3425

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4392UB

Teilbestand: 3411

MX2N4393

Teilbestand: 3465

JANTX2N4416AUB

Teilbestand: 561

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 35V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 35V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

MV2N4860UB

Teilbestand: 3437

MV2N4391

Teilbestand: 3459

JANTX2N4093UB

Teilbestand: 538

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V,

MV2N4392

Teilbestand: 3405

JANTX2N4092UB

Teilbestand: 530

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V,

MV2N4857UB

Teilbestand: 3433

MV2N4859UB

Teilbestand: 3368

MV2N4860

Teilbestand: 3488

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

MX2N4391

Teilbestand: 3437

MX2N5116

Teilbestand: 3422

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

MV2N5116

Teilbestand: 3501

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

MX2N4860

Teilbestand: 3473

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

MV2N4861

Teilbestand: 3498

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MX2N5114

Teilbestand: 3508

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA,

MX2N4857UB

Teilbestand: 3427

MX2N4391UB

Teilbestand: 3417

MV2N4856UB

Teilbestand: 3496

MX2N4861

Teilbestand: 3419

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

MV2N4392UB

Teilbestand: 3458

MV2N4393

Teilbestand: 3427