Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 16

APTGT150SK120G

Teilbestand: 884

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 690W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT50TL601G

Teilbestand: 1364

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT100DU170TG

Teilbestand: 857

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 560W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT100GT120JU3

Teilbestand: 2103

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 140A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGL180A1202G

Teilbestand: 876

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 750W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT200TL60G

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 300A, Leistung max: 652W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APTGF150DU120TG

Teilbestand: 79

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Dual, Common Source, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 961W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTGT300SK60D3G

Teilbestand: 713

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 940W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT400A60D3G

Teilbestand: 530

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500A, Leistung max: 1250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 400A,

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Microsemi Corporation

APTGT300A60TG

Teilbestand: 697

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 430A, Leistung max: 935W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT300A170G

Teilbestand: 353

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Half Bridge, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400A, Leistung max: 1660W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 300A,

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Microsemi Corporation

APTGT50X60T3G

Teilbestand: 1363

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT75GT120JRDQ3

Teilbestand: 1870

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 97A, Leistung max: 480W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT50GF60JU2

Teilbestand: 3168

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 277W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT150GT120JR

Teilbestand: 1450

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 170A, Leistung max: 830W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.7V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APT75GT120JU2

Teilbestand: 2315

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 416W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT65GP60J

Teilbestand: 2051

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 130A, Leistung max: 431W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 65A,

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Microsemi Corporation

APT35GP120J

Teilbestand: 1978

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 64A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 35A,

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Microsemi Corporation

APTGT75TL60T3G

Teilbestand: 1060

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APTGT600U120D4G

Teilbestand: 398

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 900A, Leistung max: 2500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 600A,

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Microsemi Corporation

APT70GR120JD60

Teilbestand: 1895

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 112A, Leistung max: 543W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.2V @ 15V, 70A,

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Microsemi Corporation

APTGT100H60T3G

Teilbestand: 1009

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A, Leistung max: 340W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APTGT50H60T3G

Teilbestand: 1227

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Full Bridge Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTGT50SK170T1G

Teilbestand: 1368

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 312W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT45GP120J

Teilbestand: 2085

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 329W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.9V @ 15V, 45A,

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Microsemi Corporation

APT46GA90JD40

Teilbestand: 2422

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 87A, Leistung max: 284W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 3.1V @ 15V, 47A,

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Microsemi Corporation

APT80GP60J

Teilbestand: 1872

IGBT-Typ: PT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 151A, Leistung max: 462W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A,

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Microsemi Corporation

APTGT600U170D4G

Teilbestand: 424

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1700V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1100A, Leistung max: 2900W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 600A,

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Microsemi Corporation

APT150GN120J

Teilbestand: 1837

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 215A, Leistung max: 625W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APTCV60TLM70T3G

Teilbestand: 3129

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 176W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APTCV60TLM24T3G

Teilbestand: 835

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Level Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 75A,

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Microsemi Corporation

APT150GN60J

Teilbestand: 2460

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 220A, Leistung max: 536W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.85V @ 15V, 150A,

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Microsemi Corporation

APT50GLQ65JU2

Teilbestand: 758

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Boost Chopper, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 80A, Leistung max: 220W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

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Microsemi Corporation

APT100GN120J

Teilbestand: 2064

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 153A, Leistung max: 446W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 100A,

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Microsemi Corporation

APT200GT60JR

Teilbestand: 1912

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 195A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 200A,

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Microsemi Corporation

APT100GT60JR

Teilbestand: 2919

IGBT-Typ: NPT, Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 148A, Leistung max: 500W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 100A,

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