Dioden - Gleichrichter - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 13

1N6660

Teilbestand: 559

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N7037CCU1

Teilbestand: 4746

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 35A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.22V @ 35A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N6659

Teilbestand: 4137

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Anode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001VXC

Teilbestand: 4957

Diodenkonfiguration: 8 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 140V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.08V @ 700mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

5962-1621001QXC

Teilbestand: 4919

Diodenkonfiguration: 8 Pair Series Connection, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 140V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.08V @ 700mA, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

689-3P

Teilbestand: 4108

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 10A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D30BCTG

Teilbestand: 10437

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK170G

Teilbestand: 532

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1700V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 480A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 400A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D100J

Teilbestand: 3175

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 28A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D20J

Teilbestand: 3498

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30DQ60J

Teilbestand: 3829

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ100J

Teilbestand: 3118

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D30J

Teilbestand: 2748

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 300V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X21DC60J

Teilbestand: 1164

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 20A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D60J

Teilbestand: 3356

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ60J

Teilbestand: 3407

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.2V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D120J

Teilbestand: 2782

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X50DC60J

Teilbestand: 739

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Silicon Carbide Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 50A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 50A, Geschwindigkeit: No Recovery Time > 500mA (Io),

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Microsemi Corporation

APTDF400KK20G

Teilbestand: 842

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 500A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 400A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D100J

Teilbestand: 2286

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30DQ120BCTG

Teilbestand: 179

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X31D100J

Teilbestand: 3191

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 28A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D120J

Teilbestand: 2464

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 53A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60D120J

Teilbestand: 2442

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 53A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61D20J

Teilbestand: 3266

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X60DQ120J

Teilbestand: 3220

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 3.1V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X101D120J

Teilbestand: 1994

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 93A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X151DL60J

Teilbestand: 2375

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 150A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 150A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100D100J

Teilbestand: 2278

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.5V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D20BCTG

Teilbestand: 14745

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X61DQ60J

Teilbestand: 3789

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D60BCTG

Teilbestand: 21444

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X30D60J

Teilbestand: 4152

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.8V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT2X100DQ100J

Teilbestand: 3296

Diodenkonfiguration: 2 Independent, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 100A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.7V @ 100A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT15D100BCTG

Teilbestand: 17440

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 15A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.3V @ 15A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

APT30D40BCTG

Teilbestand: 10774

Diodenkonfiguration: 1 Pair Common Cathode, Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnittlich gleichgerichtet (Io) (pro Diode): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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