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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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1N5814
Microsemi Corporation

1N5814

Teilbestand: 1582

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 20A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 950mV @ 20A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 35ns,

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1N3893AR
Microsemi Corporation

1N3893AR

Teilbestand: 1470

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1N3891A
Microsemi Corporation

1N3891A

Teilbestand: 1514

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1N3892A
Microsemi Corporation

1N3892A

Teilbestand: 1493

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1N3890A
Microsemi Corporation

1N3890A

Teilbestand: 5551

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1N3890AR
Microsemi Corporation

1N3890AR

Teilbestand: 1268

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1N3893A
Microsemi Corporation

1N3893A

Teilbestand: 1336

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1N3892AR
Microsemi Corporation

1N3892AR

Teilbestand: 1272

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1N3891AR
Microsemi Corporation

1N3891AR

Teilbestand: 1269

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1N5182
Microsemi Corporation

1N5182

Teilbestand: 1326

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 5000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 100mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 10V @ 100mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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1N5415US
Microsemi Corporation

1N5415US

Teilbestand: 1279

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 9A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 150ns,

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1N5811US
Microsemi Corporation

1N5811US

Teilbestand: 6570

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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1N3779
Microsemi Corporation

1N3779

Teilbestand: 1329

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1N6078US
Microsemi Corporation

1N6078US

Teilbestand: 2355

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.76V @ 18.8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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1N6079US
Microsemi Corporation

1N6079US

Teilbestand: 2309

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.5V @ 37.7A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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1N1127AR
Microsemi Corporation

1N1127AR

Teilbestand: 1313

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1N1126AR
Microsemi Corporation

1N1126AR

Teilbestand: 5162

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1N1128AR
Microsemi Corporation

1N1128AR

Teilbestand: 1276

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1N1125AR
Microsemi Corporation

1N1125AR

Teilbestand: 1263

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1N1616A
Microsemi Corporation

1N1616A

Teilbestand: 1221

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1N1614A
Microsemi Corporation

1N1614A

Teilbestand: 1284

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1N1615A
Microsemi Corporation

1N1615A

Teilbestand: 5156

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1N1203BR
Microsemi Corporation

1N1203BR

Teilbestand: 1165

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1N1205BR
Microsemi Corporation

1N1205BR

Teilbestand: 1187

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1N3671
Microsemi Corporation

1N3671

Teilbestand: 1212

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1N3672
Microsemi Corporation

1N3672

Teilbestand: 1154

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1N1201BR
Microsemi Corporation

1N1201BR

Teilbestand: 1130

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1N1204B
Microsemi Corporation

1N1204B

Teilbestand: 1194

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1N1201R
Microsemi Corporation

1N1201R

Teilbestand: 1128

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1N1206BR
Microsemi Corporation

1N1206BR

Teilbestand: 1167

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1N1200B
Microsemi Corporation

1N1200B

Teilbestand: 1224

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1N1204C
Microsemi Corporation

1N1204C

Teilbestand: 1151

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1N1205
Microsemi Corporation

1N1205

Teilbestand: 1158

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1N1200R
Microsemi Corporation

1N1200R

Teilbestand: 1188

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1N1205B
Microsemi Corporation

1N1205B

Teilbestand: 1200

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1N1204BR
Microsemi Corporation

1N1204BR

Teilbestand: 1150

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