Dioden - Gleichrichter - Einzeln | Diskrete Halbleiterprodukte | 62

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 340mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5712

Teilbestand: 8650

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 75mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1V @ 35mA, Geschwindigkeit: Small Signal =< 200mA (Io), Any Speed,

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Microsemi Corporation

1N6761

Teilbestand: 117

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 690mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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Microsemi Corporation

1N5712UR-1

Teilbestand: 115

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Microsemi Corporation

1N6864

Teilbestand: 68

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Microsemi Corporation

1N6858UR-1

Teilbestand: 102

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Microsemi Corporation

1N6642UBCA

Teilbestand: 137

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Microsemi Corporation

1N4148UB2R

Teilbestand: 177

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Microsemi Corporation

1N6642UBCC

Teilbestand: 93

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Microsemi Corporation

1N4148UB2

Teilbestand: 122

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Microsemi Corporation

1N6642UB2R

Teilbestand: 118

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Microsemi Corporation

1N6642UB2

Teilbestand: 113

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Microsemi Corporation

1N6628US

Teilbestand: 3334

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 660V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,