Dioden - Gleichrichter - Einzeln

S3520PF

S3520PF

Teilbestand: 841

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JANTX1N5811URS

JANTX1N5811URS

Teilbestand: 3302

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 150V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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LSM845JE3

LSM845JE3

Teilbestand: 779

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JANTXV1N6625US

JANTXV1N6625US

Teilbestand: 798

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.75V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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SBR3050E3

SBR3050E3

Teilbestand: 699

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 30A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 630mV @ 30A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JANTX1N6077

JANTX1N6077

Teilbestand: 3149

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.76V @ 18.8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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S3520

S3520

Teilbestand: 877

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LSM545JE3

LSM545JE3

Teilbestand: 5120

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 520mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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S35140

S35140

Teilbestand: 5128

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SBR6045E3

SBR6045E3

Teilbestand: 703

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 60A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 600mV @ 60A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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SBR8050E3

SBR8050E3

Teilbestand: 773

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 740mV @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JANTX1N5809URS

JANTX1N5809URS

Teilbestand: 3259

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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JANTX1N5804URS

JANTX1N5804URS

Teilbestand: 3047

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 875mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 25ns,

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JANTXV1N6073

JANTXV1N6073

Teilbestand: 3692

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 850mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 2.04V @ 9.4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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R3520PF

R3520PF

Teilbestand: 437

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JANTX1N6627

JANTX1N6627

Teilbestand: 327

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 440V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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HS243100R

HS243100R

Teilbestand: 506

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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R3580

R3580

Teilbestand: 431

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JAN1N6631US

JAN1N6631US

Teilbestand: 3446

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1.4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 60ns,

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UPS5100HE3

UPS5100HE3

Teilbestand: 308

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 5A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 810mV @ 5A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UPS140/TR7

UPS140/TR7

Teilbestand: 5077

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 40V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 450mV @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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UPDS3200

UPDS3200

Teilbestand: 371

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 780mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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JANTX1N6623

JANTX1N6623

Teilbestand: 1639

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 880V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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MS1645

MS1645

Teilbestand: 357

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 45V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 16A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 670mV @ 16A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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R3560PF

R3560PF

Teilbestand: 463

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JAN1N6077

JAN1N6077

Teilbestand: 3513

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.76V @ 18.8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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JANTX1N6626U

JANTX1N6626U

Teilbestand: 476

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.75A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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JANTX1N6623US

JANTX1N6623US

Teilbestand: 450

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 880V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.55V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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JAN1N6629US

JAN1N6629US

Teilbestand: 3448

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 880V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 50ns,

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JANTXV1N6621

JANTXV1N6621

Teilbestand: 419

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 440V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.4V @ 1.2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 30ns,

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R3560

R3560

Teilbestand: 413

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SK32B/TR13

SK32B/TR13

Teilbestand: 503

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 20V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 3A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 500mV @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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R3540PF

R3540PF

Teilbestand: 423

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JANTX1N6642UB

JANTX1N6642UB

Teilbestand: 483

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300mA (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 20ns,

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JAN1N6642UBCA

JAN1N6642UBCA

Teilbestand: 449

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 75V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 300mA, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 100mA, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 5ns,

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HS247200R

HS247200R

Teilbestand: 5141

Diodentyp: Schottky, Reverse Polarity, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 240A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 860mV @ 240A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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