Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

JANTXV2N3440

Teilbestand: 206

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

JANTX2N5416

Teilbestand: 4097

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

JANTXV2N2222AUA

Teilbestand: 1678

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

JAN2N1893S

Teilbestand: 2366

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 15mA, 150mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

JANTXV2N3767

Teilbestand: 1789

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 5V,

JAN2N5582

Teilbestand: 7231

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

JANTXV2N4261

Teilbestand: 1821

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 350mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 1V,

JAN2N3997

Teilbestand: 537

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

JANTX2N3499

Teilbestand: 3874

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 30mA, 300mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

JAN2N3439

Teilbestand: 3017

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

JANTX2N3440L

Teilbestand: 3283

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

JANTX2N5665

Teilbestand: 1990

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V,

JAN2N6251

Teilbestand: 6911

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V,

JAN2N2945A

Teilbestand: 6799

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 20V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 1mA, 500mV,

JANTX2N3763

Teilbestand: 6831

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

JAN2N4399

Teilbestand: 6882

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

JAN2N6546

Teilbestand: 6949

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V,

JAN2N1016D

Teilbestand: 6802

JANTXV2N3636

Teilbestand: 3713

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

JANTX2N3999

Teilbestand: 6890

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

JANTX2N5667S

Teilbestand: 6917

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 1A, 5V,

JANS2N6251T1

Teilbestand: 6870

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1.67A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 6 @ 10A, 3V,

JANTXV2N3055

Teilbestand: 6916

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 3.3A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 4A, 4V,

JAN2N7372

Teilbestand: 6879

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

JANTX2N3749

Teilbestand: 6918

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

JANTXV2N5582

Teilbestand: 6757

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 10V,

JAN2N2946A

Teilbestand: 6751

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 35V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 1mA, 500mV,

JAN2N5416UA

Teilbestand: 6824

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 50mA, 10V,

JANTX2N6306

Teilbestand: 6953

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 2A, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 3A, 5V,

JANTXV2N3740

Teilbestand: 6927

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

JANTX2N7370

Teilbestand: 6900

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 12A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 100V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 120mA, 12A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 6A, 3V,

JAN2N5302

Teilbestand: 6907

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 3V @ 6A, 30A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 15A, 2V,

JANTX2N6341

Teilbestand: 6845

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.8V @ 2.5A, 25A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10A, 2V,

JANTXV2N6353

Teilbestand: 6883

Transistortyp: NPN - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 150V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 10mA, 5A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 5V,

JANS2N5004

Teilbestand: 6873

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

JANTX2N5663

Teilbestand: 577

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V,