Transistoren - Bipolar (BJT) - Single

JANTX2N5014S

Teilbestand: 7019

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 900V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

JAN2N6547

Teilbestand: 6907

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 3A, 15A, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 5A, 2V,

JANTXV2N3749

Teilbestand: 6741

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 20µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 2V,

JANS2N4150

Teilbestand: 6901

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 70V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2.5V @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 5A, 5V,

JANTX2N3636L

Teilbestand: 4066

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

JANS2N5666U3

Teilbestand: 6895

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 1A, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 1A, 5V,

JANTXV2N3737UB

Teilbestand: 6738

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 1A, 1.5V,

JAN2N335

Teilbestand: 6684

JANS2N6249T1

Teilbestand: 6874

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V,

JANTX2N3997

Teilbestand: 6910

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1A, 2V,

JANTXV2N6249T1

Teilbestand: 6883

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 10A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 200V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 1A, 10A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 10 @ 10A, 3V,

JANTXV2N3467

Teilbestand: 6864

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.2V @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 500mA, 1V,

JANTX2N3637UB

Teilbestand: 6877

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 175V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 50mA, 10V,

JANTX2N5661

Teilbestand: 6962

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 300V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 800mV @ 400mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 200nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 25 @ 500mA, 5V,

JAN2N3764

Teilbestand: 6895

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 900mV @ 100mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 1.5V,

JANTX2N708

Teilbestand: 6844

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 400mV @ 1mA, 10mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 25nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 10mA, 1V,

JANTXV2N5002

Teilbestand: 396

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 2.5A, 5V,

JANTXV2N5672

Teilbestand: 6863

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 120V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 6A, 30A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 15A, 2V,

JAN2N5154

Teilbestand: 6898

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 500mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 2.5A, 5V,

JANTXV2N3421U4

Teilbestand: 6852

JANTXV2N2484

Teilbestand: 6773

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 100µA, 1mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 225 @ 10mA, 5V,

JANTX2N3251A

Teilbestand: 6849

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 10mA, 1V,

JANS2N3440UA

Teilbestand: 6892

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 250V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

JANS2N3439UA

Teilbestand: 6823

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 4mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 2µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 20mA, 10V,

JANTX2N5685

Teilbestand: 6864

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 5V @ 10A, 50A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 15 @ 25A, 2V,

JANTXV2N3741

Teilbestand: 2921

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 125mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 250mA, 1V,

JANTX2N6213

Teilbestand: 6868

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 350V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 125mA, 1A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 5mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1A, 5V,

JAN2N2218A

Teilbestand: 6902

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 800mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 500mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 40 @ 150mA, 10V,

JANTX2N6298

Teilbestand: 1334

Transistortyp: PNP - Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 80mA, 8A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 500µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 750 @ 4A, 3V,

JAN2N5015

Teilbestand: 7052

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1000V, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10nA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 20mA, 10V,

JANTXV2N3634L

Teilbestand: 3634

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 140V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 50mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 50mA, 10V,

JANS2N6193U3

Teilbestand: 6839

JAN2N1485

Teilbestand: 6845

Transistortyp: NPN, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 40V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 750mV @ 40mA, 750mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 15µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 750mA, 4V,

JANTXV2N3960UB

Teilbestand: 6880

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 12V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 300mV @ 3mA, 30mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 10µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 1V,

JAN2N3868

Teilbestand: 6852

Transistortyp: PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 250mA, 2.5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 100µA (ICBO), DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 1.5A, 2V,

JAN2N6438

Teilbestand: 6866