Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

PSMN7R0-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100BS,118

Teilbestand: 55875

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.8 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-60PLQ

Teilbestand: 27251

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 130A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN5R0-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN5R0-100PS,127

Teilbestand: 22124

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN2R0-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R0-30PL,127

Teilbestand: 42173

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 15A, 10V,

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PHB191NQ06LT,118

Nexperia USA Inc.

PHB191NQ06LT,118

Teilbestand: 67371

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN8R7-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN8R7-80BS,118

Teilbestand: 87221

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.7 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN7R8-100PSEQ

Nexperia USA Inc.

PSMN7R8-100PSEQ

Teilbestand: 31596

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.8 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN6R5-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80PS,127

Teilbestand: 38019

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN6R3-120PS

Teilbestand: 23121

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 120V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN9R5-100BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-100BS,118

Teilbestand: 72964

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMNR90-30BL,118

Nexperia USA Inc.

PSMNR90-30BL,118

Teilbestand: 42984

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN017-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN017-80BS,118

Teilbestand: 121312

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN6R5-80BS,118

Nexperia USA Inc.

PSMN6R5-80BS,118

Teilbestand: 73024

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.9 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN1R1-30EL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN1R1-30EL,127

Teilbestand: 26255

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PHB47NQ10T,118

Teilbestand: 75280

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 47A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN4R2-30MLDX

Teilbestand: 114488

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 70A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PHB20N06T,118

Teilbestand: 191359

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 75 mOhm @ 10A, 10V,

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PSMN1R6-30PL,127

Nexperia USA Inc.

PSMN1R6-30PL,127

Teilbestand: 22831

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN012-60YS,115

Nexperia USA Inc.

PSMN012-60YS,115

Teilbestand: 149981

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 59A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11.1 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R5-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN3R5-30YL,115

Teilbestand: 192264

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R0-60ES,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R0-60ES,127

Teilbestand: 31195

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN2R5-30YL,115

Nexperia USA Inc.

PSMN2R5-30YL,115

Teilbestand: 195660

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN015-60PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN015-60PS,127

Teilbestand: 64261

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.8 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN4R8-100PSEQ

Nexperia USA Inc.

PSMN4R8-100PSEQ

Teilbestand: 17601

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN9R5-30YLC,115

Nexperia USA Inc.

PSMN9R5-30YLC,115

Teilbestand: 119194

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 44A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.8 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN7R0-100PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN7R0-100PS,127

Teilbestand: 38971

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 15A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN1R9-40PLQ

Teilbestand: 21760

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.7 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PHP30NQ15T,127

Teilbestand: 46960

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 15A, 10V,

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PSMN3R3-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN3R3-80PS,127

Teilbestand: 23446

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.3 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN017-80PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN017-80PS,127

Teilbestand: 59097

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 10A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PH955L,115

Teilbestand: 62022

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 55V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 62.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.3 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PMXB65UPEZ

Teilbestand: 100221

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.2V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 3.2A, 4.5V,

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PSMN165-200K,518

Nexperia USA Inc.

PSMN165-200K,518

Teilbestand: 132385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 165 mOhm @ 2.5A, 10V,

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PSMN2R2-40PS,127

Nexperia USA Inc.

PSMN2R2-40PS,127

Teilbestand: 31848

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.1 mOhm @ 25A, 10V,

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PSMN003-30P,127

Nexperia USA Inc.

PSMN003-30P,127

Teilbestand: 71600

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Nexperia USA Inc.

PSMN8R5-100ESQ

Teilbestand: 39385

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.5 mOhm @ 25A, 10V,

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