Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

Nexperia USA Inc.

NX3008CBKV,115

Teilbestand: 142413

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, 220mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX7002AKS/ZLX

Teilbestand: 2966

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PHKD3NQ10T,518

Teilbestand: 123444

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PHN203,518

Teilbestand: 155067

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD370XN,115

Teilbestand: 2664

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 740mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 440 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PHP225,118

Teilbestand: 166064

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 250 mOhm @ 1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB30XN,115

Teilbestand: 194845

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PHN210T,118

Teilbestand: 189974

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 100 mOhm @ 2.2A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.8V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70EN,115

Teilbestand: 2938

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 57 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PHC2300,118

Teilbestand: 186484

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 300V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 340mA, 235mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 1mA,

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Nexperia USA Inc.

NX7002AKS,115

Teilbestand: 122168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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PHKD13N03LT,118

Nexperia USA Inc.

PHKD13N03LT,118

Teilbestand: 2834

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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PHKD13N03LT,518

Nexperia USA Inc.

PHKD13N03LT,518

Teilbestand: 123779

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PHKD6N02LT,518

Teilbestand: 148309

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 3A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008PBKS,115

Teilbestand: 177372

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008CBKS,115

Teilbestand: 146141

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UCE,115

Teilbestand: 135417

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, 550mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3020NAKVYL

Teilbestand: 108530

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3020NAKS,115

Teilbestand: 147530

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB80XP,115

Teilbestand: 184951

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 102 mOhm @ 2.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX138BKSF

Teilbestand: 123900

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCXB1000UEZ

Teilbestand: 169010

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 590mA (Ta), 410mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDXB600UNELZ

Teilbestand: 153614

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKS,115

Teilbestand: 184047

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCPB5530X,115

Teilbestand: 192788

FET-Typ: N and P-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), 3.4A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD290XN,115

Teilbestand: 154440

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 860mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDXB600UNEZ

Teilbestand: 163962

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB85UPE,115

Teilbestand: 183418

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 103 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UNEYL

Teilbestand: 2497

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD280UN,115

Teilbestand: 179576

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 340 mOhm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3020NAKV,115

Teilbestand: 155135

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD175XNEX

Teilbestand: 139161

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 870mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 252 mOhm @ 900mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDXB1200UPEZ

Teilbestand: 113236

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 410mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 410mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCXB900UEZ

Teilbestand: 170594

FET-Typ: N and P-Channel Complementary, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA, 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 620 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX138AKSX

Teilbestand: 183035

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMCM650CUNEZ

Teilbestand: 2564

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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