Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 4

PMDXB550UNEZ

Teilbestand: 183268

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 590mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 670 mOhm @ 590mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKV,115

Teilbestand: 163831

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 400mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX138AKSF

Teilbestand: 110186

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 170mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX1029X,115

Teilbestand: 166606

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 330mA, 170mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMGD780SN,115

Teilbestand: 171536

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 490mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 920 mOhm @ 300mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX7002BKXBZ

Teilbestand: 151844

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 Ohm @ 200mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XP,115

Teilbestand: 189968

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 87 mOhm @ 2.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008NBKSH

Teilbestand: 194648

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 350mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 350mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX6020CAKSX

Teilbestand: 2501

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 Ohm @ 100mA, 10V, 7.5 Ohm @ 100mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB58UPE,115

Teilbestand: 173425

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 67 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB55XP,115

Teilbestand: 147136

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 3.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDXB950UPEZ

Teilbestand: 193079

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 500mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDT290UNE,115

Teilbestand: 177961

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 380 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

PMDPB70XPE,115

Teilbestand: 137499

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 79 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.25V @ 250µA,

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Nexperia USA Inc.

NX3008PBKV,115

Teilbestand: 177076

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 220mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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