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Optische Sensoren - Reflektierend - Analogausgang

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QRE00034
ON Semiconductor

QRE00034

Teilbestand: 2759

Erfassungsabstand: 0.157" (4mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Wunschzettel
OPB704W
ON Semiconductor

OPB704W

Teilbestand: 2756

Erfassungsabstand: 0.200" (5.08mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 40mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

Wunschzettel
QRE1113GR
ON Semiconductor

QRE1113GR

Teilbestand: 178615

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRD1113
ON Semiconductor

QRD1113

Teilbestand: 38545

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRC1113
ON Semiconductor

QRC1113

Teilbestand: 2734

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRB1133
ON Semiconductor

QRB1133

Teilbestand: 2798

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRB1134
ON Semiconductor

QRB1134

Teilbestand: 2734

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRE1113
ON Semiconductor

QRE1113

Teilbestand: 57727

Erfassungsabstand: 0.197" (5mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRD1114
ON Semiconductor

QRD1114

Teilbestand: 39835

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRD1313
ON Semiconductor

QRD1313

Teilbestand: 2740

Erfassungsabstand: 0.050" (1.27mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 15V, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Photodarlington,

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QRB1113
ON Semiconductor

QRB1113

Teilbestand: 2703

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRB1114
ON Semiconductor

QRB1114

Teilbestand: 2747

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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QRC1133
ON Semiconductor

QRC1133

Teilbestand: 2700

Erfassungsabstand: 0.150" (3.81mm), Erfassungsmethode: Reflective, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20mA, Strom - DC Vorwärts (Wenn) (Max): 50mA, Ausgabetyp: Phototransistor,

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