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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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1HP04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HP04CH-TL-W

Teilbestand: 100908

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 170mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 Ohm @ 80mA, 10V,

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1HN04CH-TL-W
ON Semiconductor

1HN04CH-TL-W

Teilbestand: 117115

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 270mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 140mA, 10V,

Wunschzettel
2N7000-D75Z
ON Semiconductor

2N7000-D75Z

Teilbestand: 99

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

Wunschzettel
2SK4094-1E
ON Semiconductor

2SK4094-1E

Teilbestand: 20693

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 50A, 10V,

Wunschzettel
2SJ661-1E
ON Semiconductor

2SJ661-1E

Teilbestand: 57846

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel
2SK3746-1E
ON Semiconductor

2SK3746-1E

Teilbestand: 15517

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel
2SK3703-1E
ON Semiconductor

2SK3703-1E

Teilbestand: 40945

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel
2SJ652-1E
ON Semiconductor

2SJ652-1E

Teilbestand: 33065

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 38 mOhm @ 14A, 10V,

Wunschzettel
2SK3745LS-1E
ON Semiconductor

2SK3745LS-1E

Teilbestand: 18892

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel
2SK3747-1E
ON Semiconductor

2SK3747-1E

Teilbestand: 15610

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel
2SK4177-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4177-DL-1E

Teilbestand: 30646

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13 Ohm @ 1A, 10V,

Wunschzettel
2SJ661-DL-1E
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1E

Teilbestand: 57287

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 19A, 10V,

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2N7000BU_T
ON Semiconductor

2N7000BU_T

Teilbestand: 2253

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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2SK4066-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1EX

Teilbestand: 2250

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4065-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1EX

Teilbestand: 2210

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SJ661-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-1EX

Teilbestand: 2203

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V,

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2SJ652-1EX
ON Semiconductor

2SJ652-1EX

Teilbestand: 2120

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V,

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2SK3816-DL-1EX
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1EX

Teilbestand: 2164

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V,

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2SK3703-1EX
ON Semiconductor

2SK3703-1EX

Teilbestand: 2124

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V,

Wunschzettel
2SJ661-DL-1EX
ON Semiconductor

2SJ661-DL-1EX

Teilbestand: 2140

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V,

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2SK4125-1EX
ON Semiconductor

2SK4125-1EX

Teilbestand: 2103

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4098FS
ON Semiconductor

2SK4098FS

Teilbestand: 2085

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 3.5A, 10V,

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2SK4125-1E
ON Semiconductor

2SK4125-1E

Teilbestand: 6248

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 17A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK536-MTK-TB-E
ON Semiconductor

2SK536-MTK-TB-E

Teilbestand: 198740

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V,

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2SK4099LS-1E
ON Semiconductor

2SK4099LS-1E

Teilbestand: 1876

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 940 mOhm @ 4A, 10V,

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2SK4124-1E
ON Semiconductor

2SK4124-1E

Teilbestand: 6267

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4087LS-1E
ON Semiconductor

2SK4087LS-1E

Teilbestand: 1869

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.2A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 610 mOhm @ 7A, 10V,

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2SK4088LS-1E
ON Semiconductor

2SK4088LS-1E

Teilbestand: 1874

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 650V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 850 mOhm @ 5.5A, 10V,

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2SK4066-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4066-DL-1E

Teilbestand: 1810

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK4085LS-1E
ON Semiconductor

2SK4085LS-1E

Teilbestand: 1812

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 430 mOhm @ 8A, 10V,

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2SK4066-1E
ON Semiconductor

2SK4066-1E

Teilbestand: 1849

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.7 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3820-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3820-DL-1E

Teilbestand: 1839

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 13A, 10V,

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2SK4065-DL-1E
ON Semiconductor

2SK4065-DL-1E

Teilbestand: 1813

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 75V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 50A, 10V,

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2SK3748-1E
ON Semiconductor

2SK3748-1E

Teilbestand: 10717

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1500V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7 Ohm @ 2A, 10V,

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2SK3816-DL-1E
ON Semiconductor

2SK3816-DL-1E

Teilbestand: 1843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 26 mOhm @ 20A, 10V,

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2N7002WST1G
ON Semiconductor

2N7002WST1G

Teilbestand: 1836

Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V,

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