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Transistoren - Bipolar (BJT) - RF

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2SC4098T106P
Rohm Semiconductor

2SC4098T106P

Teilbestand: 113796

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel
2SC4618TLN
Rohm Semiconductor

2SC4618TLN

Teilbestand: 145036

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC4713KT146S
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146S

Teilbestand: 183409

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel
2SC4713KT146R
Rohm Semiconductor

2SC4713KT146R

Teilbestand: 149510

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel
2SC4618TLP
Rohm Semiconductor

2SC4618TLP

Teilbestand: 119559

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 25V, Häufigkeit - Übergang: 300MHz, Leistung max: 150mW,

Wunschzettel
2SC4774T106S
Rohm Semiconductor

2SC4774T106S

Teilbestand: 161942

Transistortyp: NPN, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 6V, Häufigkeit - Übergang: 800MHz, Leistung max: 200mW,

Wunschzettel