Transistoren - IGBTs - Single | Diskrete Halbleiterprodukte | 2

RGW60TS65DGC11

Teilbestand: 180

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 178W,

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Rohm Semiconductor

RGW00TK65DGVC11

Teilbestand: 112

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 89W,

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Rohm Semiconductor

RGT16NS65DGTL

Teilbestand: 95483

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 16A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 24A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 8A, Leistung max: 94W,

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Rohm Semiconductor

RGTH40TS65DGC11

Teilbestand: 25319

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Leistung max: 144W,

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Rohm Semiconductor

RGTH00TS65DGC11

Teilbestand: 14392

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 85A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 277W,

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Rohm Semiconductor

RGPR30NS40HRTL

Teilbestand: 77

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 430V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 30A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 125W,

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Rohm Semiconductor

RGW60TK65GVC11

Teilbestand: 110

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 33A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 72W,

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Rohm Semiconductor

RGTV60TK65GVC11

Teilbestand: 164

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 33A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 76W,

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Rohm Semiconductor

RGT8NS65DGTL

Teilbestand: 130635

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Leistung max: 65W,

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Rohm Semiconductor

RGW00TK65GVC11

Teilbestand: 159

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 89W,

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Rohm Semiconductor

RGTH80TS65DGC11

Teilbestand: 18067

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Leistung max: 234W,

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Rohm Semiconductor

RGPR20NS43HRTL

Teilbestand: 99

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 460V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 20A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Leistung max: 107W,

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Rohm Semiconductor

RGT8BM65DTL

Teilbestand: 142805

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 8A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 12A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 4A, Leistung max: 62W,

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Rohm Semiconductor

RGW80TK65GVC11

Teilbestand: 118

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 39A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Leistung max: 81W,

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Rohm Semiconductor

RGS00TS65DHRC11

Teilbestand: 112

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 88A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 326W,

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Rohm Semiconductor

RGW00TS65GC11

Teilbestand: 2946

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 254W,

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Rohm Semiconductor

RGTH80TS65GC11

Teilbestand: 1596

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Leistung max: 234W,

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Rohm Semiconductor

RGTH00TS65GC11

Teilbestand: 17733

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 85A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 277W,

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Rohm Semiconductor

RGTH50TS65GC11

Teilbestand: 23036

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 174W,

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Rohm Semiconductor

RGTV00TK65GVC11

Teilbestand: 2933

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 45A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 94W,

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Rohm Semiconductor

RGT40TS65DGC11

Teilbestand: 25308

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 60A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Leistung max: 144W,

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Rohm Semiconductor

RGTV00TS65GC11

Teilbestand: 2921

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 95A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 276W,

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Rohm Semiconductor

RGW60TK65DGVC11

Teilbestand: 2956

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 33A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 72W,

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Rohm Semiconductor

RGTV60TK65DGVC11

Teilbestand: 2908

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 33A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 76W,

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Rohm Semiconductor

RGTV60TS65GC11

Teilbestand: 2780

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 194W,

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Rohm Semiconductor

RGTH40TS65GC11

Teilbestand: 30024

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 40A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 80A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Leistung max: 144W,

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Rohm Semiconductor

RGW00TS65DGC11

Teilbestand: 2662

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 96A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 200A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 50A, Leistung max: 254W,

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Rohm Semiconductor

RGW80TK65DGVC11

Teilbestand: 2907

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 39A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Leistung max: 81W,

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Rohm Semiconductor

RGT80TS65DGC11

Teilbestand: 17933

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 70A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 40A, Leistung max: 234W,

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Rohm Semiconductor

RGTVX6TS65GC11

Teilbestand: 2967

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 144A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 320A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 80A, Leistung max: 404W,

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Rohm Semiconductor

RGTH50TS65DGC11

Teilbestand: 20954

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 100A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Leistung max: 174W,

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Rohm Semiconductor

RGT00TS65DGC11

Teilbestand: 2750

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 85A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 150A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 50A, Leistung max: 277W,

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Rohm Semiconductor

RGTH60TS65GC11

Teilbestand: 22572

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Leistung max: 197W,

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Rohm Semiconductor

RGTH60TS65DGC11

Teilbestand: 22133

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 58A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 30A, Leistung max: 194W,

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Rohm Semiconductor

RGW80TS65DGC11

Teilbestand: 2917

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 78A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 160A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 40A, Leistung max: 214W,

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Rohm Semiconductor

RGW60TS65GC11

Teilbestand: 2827

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 60A, Strom - Kollektor gepulst (Icm): 120A, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.9V @ 15V, 30A, Leistung max: 178W,

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