Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 5

BSM180D12P3C007

Teilbestand: 168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 5.6V @ 50mA,

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BSM300D12P2E001

Teilbestand: 201

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 68mA,

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Rohm Semiconductor

BSM080D12P2C008

Teilbestand: 263

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 80A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 13.2mA,

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Rohm Semiconductor

BSM120D12P2C005

Teilbestand: 258

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 120A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 2.7V @ 22mA,

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BSM180D12P2C101

Teilbestand: 243

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 204A (Tc), Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 35.2mA,

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Rohm Semiconductor

VT6J1T2CR

Teilbestand: 168368

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.8 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

EM6K31T2R

Teilbestand: 181152

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

EM6K31GT2R

Teilbestand: 153168

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 2.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 250mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 Ohm @ 250mA, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

VT6M1T2CR

Teilbestand: 125142

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.2V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 Ohm @ 100mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

EM6J1T2R

Teilbestand: 109230

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.2 Ohm @ 200mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 100µA,

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Rohm Semiconductor

TT8J13TCR

Teilbestand: 181566

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 62 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6J11TR

Teilbestand: 145887

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 260 mOhm @ 1.3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J11TCR

Teilbestand: 175857

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 43 mOhm @ 3.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M24FRATB

Teilbestand: 109

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, 63 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M51FRATB

Teilbestand: 152

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), 2.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, 290 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8M3TR

Teilbestand: 154779

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, 2.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

HP8KA1TB

Teilbestand: 113065

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 14A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 10mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K22FRATB

Teilbestand: 87

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K33FRATB

Teilbestand: 149

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 48 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8K1TR

Teilbestand: 171251

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 72 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8K11TCR

Teilbestand: 195555

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 4V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 71 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1A,

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Rohm Semiconductor

SP8K52FRATB

Teilbestand: 115

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J3TR

Teilbestand: 193760

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K32FRATB

Teilbestand: 80

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 65 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

HP8S36TB

Teilbestand: 130641

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 27A, 80A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 32A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6K1TR

Teilbestand: 126806

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6M2GTR

Teilbestand: 127

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, 1A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.5A, 4.5V, 390 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA, 2V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

HS8K11TB

Teilbestand: 188805

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A, 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17.9 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8K2TR

Teilbestand: 164928

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8M2TR

Teilbestand: 126279

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M5FRATB

Teilbestand: 154

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 7A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, 28 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M6FRATB

Teilbestand: 153

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A (Ta), 3.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 51 mOhm @ 5A, 10V, 90 mOhm @ 3.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8M21FRATB

Teilbestand: 70

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), 4A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, 46 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

SP8K24FRATB

Teilbestand: 123

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 45V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

TT8J2TR

Teilbestand: 170382

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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Rohm Semiconductor

US6K2TR

Teilbestand: 124293

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 240 mOhm @ 1.4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 1mA,

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