Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

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Transistoren - Bipolar (BJT) - Arrays

STMicroelectronics

ULN2804A

Teilbestand: 67807

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULQ2804A

Teilbestand: 73240

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2001D1013TR

Teilbestand: 116684

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

L6221CD013TR

Teilbestand: 4447

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V,

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STMicroelectronics

E-ULN2001A

Teilbestand: 4468

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

STS01DTP06

Teilbestand: 4435

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 3A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 100mA, 2A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

E-ULN2004A

Teilbestand: 4470

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2065B

Teilbestand: 25411

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

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STMicroelectronics

ULN2067B

Teilbestand: 24341

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

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STMicroelectronics

ULN2003D1013TR

Teilbestand: 184078

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULQ2001D1013TR

Teilbestand: 4436

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2074B

Teilbestand: 26622

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

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STMicroelectronics

STD815CP40

Teilbestand: 80477

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1V @ 50mA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 16 @ 350mA, 5V,

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STMicroelectronics

ULN2004A

Teilbestand: 143584

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

L6221AD013TR

Teilbestand: 4421

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.8A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 1.8A,

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STMicroelectronics

ULN2068B

Teilbestand: 26053

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

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STMicroelectronics

STD845DN40

Teilbestand: 4505

Transistortyp: 2 NPN (Dual), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 4A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 400V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 500mV @ 1A, 4A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 250µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 12 @ 2A, 5V,

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STMicroelectronics

ULQ2004D1013TR

Teilbestand: 129372

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

STS05DTP03

Teilbestand: 4471

Transistortyp: NPN, PNP, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 5A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 30V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 700mV @ 250mA, 5A, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 1µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 1A, 2V,

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STMicroelectronics

ULQ2003D1

Teilbestand: 4453

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2802A

Teilbestand: 67819

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2069B

Teilbestand: 27239

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

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ULQ2003D1013TRY

STMicroelectronics

ULQ2003D1013TRY

Teilbestand: 141438

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULQ2801A

Teilbestand: 173225

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2002D1013TR

Teilbestand: 196893

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2805A

Teilbestand: 4469

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

L604C

Teilbestand: 4425

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 400mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 90V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 2V @ 500µA, 300mA,

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STMicroelectronics

L6221CD

Teilbestand: 4458

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.2A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 60V,

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STMicroelectronics

ULQ2001A

Teilbestand: 136032

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2001A

Teilbestand: 128505

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2002A

Teilbestand: 95190

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, Strom - Kollektorabschaltung (max.): 50µA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULN2075B

Teilbestand: 22319

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 80V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.5V @ 2.25mA, 1.5A,

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STMicroelectronics

ULN2064B

Teilbestand: 26028

Transistortyp: 4 NPN Darlington (Quad), Strom - Kollektor (Ic) (Max): 1.75A, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.4V @ 2mA, 1.25A,

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STMicroelectronics

ULQ2003D1013TR

Teilbestand: 117709

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

E-ULQ2003D1

Teilbestand: 4432

Transistortyp: 7 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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STMicroelectronics

ULQ2802A

Teilbestand: 173235

Transistortyp: 8 NPN Darlington, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 500mA, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 50V, Vce-Sättigung (max.) @ Ib, Ic: 1.6V @ 500µA, 350mA, DC-Stromverstärkung (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 350mA, 2V,

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