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LRI64-A1T/1GE
STMicroelectronics

LRI64-A1T/1GE

Teilbestand: 742

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI64-SBN18/1GE
STMicroelectronics

LRI64-SBN18/1GE

Teilbestand: 150

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI64-A6S2U/2GE
STMicroelectronics

LRI64-A6S2U/2GE

Teilbestand: 697

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI64-A7T/2GE
STMicroelectronics

LRI64-A7T/2GE

Teilbestand: 758

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRIS2K-A1S/1GE
STMicroelectronics

LRIS2K-A1S/1GE

Teilbestand: 727

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI64-W4/1GE
STMicroelectronics

LRI64-W4/1GE

Teilbestand: 760

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-W4/3GE
STMicroelectronics

LRI2K-W4/3GE

Teilbestand: 187106

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-SBN18/2GE
STMicroelectronics

LRI2K-SBN18/2GE

Teilbestand: 175657

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-A6S2U/2GE
STMicroelectronics

LRI2K-A6S2U/2GE

Teilbestand: 779

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-A1S/1GE
STMicroelectronics

LRI2K-A1S/1GE

Teilbestand: 686

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-SBN18/3GE
STMicroelectronics

LRI2K-SBN18/3GE

Teilbestand: 155890

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
SRTAG2K-DMC6T/2
STMicroelectronics

SRTAG2K-DMC6T/2

Teilbestand: 702

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 14443,

Wunschzettel
LRI64-A1S/1GE
STMicroelectronics

LRI64-A1S/1GE

Teilbestand: 680

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 120b (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

Wunschzettel
LRI2K-SBN18/1GE
STMicroelectronics

LRI2K-SBN18/1GE

Teilbestand: 101914

Stil: Inlay, Technologie: Passive, Frequenz: 13.56MHz, Speichertyp: Read/Write, Beschreibbarer Speicher: 2kb (User), Normen: ISO 15693, ISO 18000-3,

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