Transistoren - IGBTs - Module | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

A1P35S12M3

Teilbestand: 99

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

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STMicroelectronics

A2C35S12M3

Teilbestand: 105

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

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STMicroelectronics

A2C25S12M3

Teilbestand: 36

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 197W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

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STMicroelectronics

A1P25S12M3

Teilbestand: 116

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 197W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

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STMicroelectronics

A1C15S12M3-F

Teilbestand: 143

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 142.8W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

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STMicroelectronics

A2C25S12M3-F

Teilbestand: 92

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 197W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

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STMicroelectronics

A2C35S12M3-F

Teilbestand: 132

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

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STMicroelectronics

A1P25S12M3-F

Teilbestand: 182

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 25A, Leistung max: 197W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 25A,

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STMicroelectronics

A1P35S12M3-F

Teilbestand: 164

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 35A, Leistung max: 250W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 35A,

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STMicroelectronics

A2P75S12M3-F

Teilbestand: 373

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 454.5W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

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STMicroelectronics

A2P75S12M3

Teilbestand: 372

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 75A, Leistung max: 454.5W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 75A,

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STMicroelectronics

A2C50S65M2

Teilbestand: 320

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

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STMicroelectronics

A1C15S12M3

Teilbestand: 349

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter with Brake, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 1200V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 15A, Leistung max: 142.8W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 15A,

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STMicroelectronics

A1P50S65M2

Teilbestand: 394

IGBT-Typ: Trench Field Stop, Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 650V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 50A, Leistung max: 208W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A,

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STMicroelectronics

STGE200N60K

Teilbestand: 608

Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 150A,

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STMicroelectronics

STGE50NC60WD

Teilbestand: 3066

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 260W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.6V @ 15V, 40A,

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STMicroelectronics

STG3P2M10N60B

Teilbestand: 345

Aufbau: Three Phase Inverter, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 19A, Leistung max: 56W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 7A,

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STMicroelectronics

STGE200NB60S

Teilbestand: 2624

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 200A, Leistung max: 600W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.6V @ 15V, 100A,

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STMicroelectronics

STGE50NB60HD

Teilbestand: 427

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 100A, Leistung max: 300W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 50A,

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STMicroelectronics

STGE50NC60VD

Teilbestand: 3052

Aufbau: Single, Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max.): 600V, Strom - Kollektor (Ic) (Max): 90A, Leistung max: 260W, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A,

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