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RFQs / Order.
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Dioden - Zener - Arrays

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AZ23C24 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C24 RFG

Teilbestand: 167

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 24V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 18V,

Wunschzettel
AZ23C27 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C27 RFG

Teilbestand: 236

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 27V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 20V,

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AZ23C20 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C20 RFG

Teilbestand: 250

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 20V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 15V,

Wunschzettel
AZ23C18 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C18 RFG

Teilbestand: 225

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 18V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 50 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 14V,

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AZ23C3V0 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C3V0 RFG

Teilbestand: 195

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

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AZ23C6V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C6V2 RFG

Teilbestand: 194

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 2V,

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AZ23C43 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C43 RFG

Teilbestand: 244

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 43V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 32V,

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AZ23C13 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C13 RFG

Teilbestand: 247

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 13V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 25 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 10V,

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AZ23C30 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C30 RFG

Teilbestand: 214

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 30V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 22.5V,

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AZ23C4V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C4V7 RFG

Teilbestand: 178

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 78 Ohms,

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AZ23C4V3 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C4V3 RFG

Teilbestand: 241

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 4.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

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AZ23C33 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C33 RFG

Teilbestand: 212

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 33V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 80 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 25V,

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AZ23C11 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C11 RFG

Teilbestand: 245

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 11V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 8.5V,

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AZ23C3V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C3V6 RFG

Teilbestand: 215

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

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AZ23C2V7 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C2V7 RFG

Teilbestand: 261

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 2.7V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 83 Ohms,

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AZ23C36 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C36 RFG

Teilbestand: 222

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 36V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 27V,

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AZ23C6V8 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C6V8 RFG

Teilbestand: 234

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 6.8V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 8 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 3V,

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AZ23C5V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C5V1 RFG

Teilbestand: 226

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 60 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 800mV,

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AZ23C51 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C51 RFG

Teilbestand: 224

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 51V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 38V,

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AZ23C7V5 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C7V5 RFG

Teilbestand: 201

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 7.5V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 5V,

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AZ23C3V9 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C3V9 RFG

Teilbestand: 248

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.9V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

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AZ23C47 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C47 RFG

Teilbestand: 200

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 47V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 100 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 35V,

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AZ23C8V2 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C8V2 RFG

Teilbestand: 241

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 8.2V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 7 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 6V,

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AZ23C5V6 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C5V6 RFG

Teilbestand: 230

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 5.6V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 1V,

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AZ23C10 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C10 RFG

Teilbestand: 177

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 10V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 15 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7.5V,

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AZ23C3V3 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C3V3 RFG

Teilbestand: 171

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 3.3V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 95 Ohms,

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AZ23C12 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C12 RFG

Teilbestand: 216

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 12V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 20 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 9V,

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AZ23C15 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C15 RFG

Teilbestand: 208

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 15V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 30 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 11V,

Wunschzettel
AZ23C22 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C22 RFG

Teilbestand: 174

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 22V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 55 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 17V,

Wunschzettel
AZ23C39 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C39 RFG

Teilbestand: 198

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 39V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 90 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 29V,

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AZ23C16 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C16 RFG

Teilbestand: 189

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 16V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 40 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 12V,

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AZ23C9V1 RFG
Taiwan Semiconductor Corporation

AZ23C9V1 RFG

Teilbestand: 246

Aufbau: 1 Pair Common Anode, Spannung - Zener (Nom) (Vz): 9.1V, Toleranz: ±5%, Leistung max: 300mW, Impedanz (Max) (Zzt): 10 Ohms, Strom - Rückwärtsleckage @ Vr: 100nA @ 7V,

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