Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

TSM4925DCS RLG

Teilbestand: 10771

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7.1A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 7.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6963SDCA RVG

Teilbestand: 243

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 4.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM680P06DPQ56 RLG

Teilbestand: 16540

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 12A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4936DCS RLG

Teilbestand: 10837

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.9A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4953DCS RLG

Teilbestand: 10756

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM8568CS RLG

Teilbestand: 248

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), 13A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 8A, 10V, 24 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6866SDCA RVG

Teilbestand: 9954

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM4946DCS RLG

Teilbestand: 16502

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 55 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6502CR RLG

Teilbestand: 10781

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), 18A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 5.4A, 10V, 68 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9933DCS RLG

Teilbestand: 10803

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 4.7A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM2537CQ RFG

Teilbestand: 222

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, 1.8V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.6A (Tc), 9A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6.4A, 4.5V, 55 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM9926DCS RLG

Teilbestand: 10840

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 30 mOhm @ 6A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 600mV @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6968SDCA RVG

Teilbestand: 9997

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6.5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM500P02DCQ RFG

Teilbestand: 277

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.7A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM250N02DCQ RFG

Teilbestand: 25851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.8A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 mOhm @ 4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 800mV @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM6968DCA RVG

Teilbestand: 25858

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 22 mOhm @ 6A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM200N03DPQ33 RGG

Teilbestand: 2506

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel

Taiwan Semiconductor Corporation

TSM3911DCX6 RFG

Teilbestand: 58130

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.2A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 140 mOhm @ 2.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 950mV @ 250µA,

Wunschzettel