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Thyristoren - DIACs, SIDACs

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SODDB3 RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SODDB3 RHG

Teilbestand: 255

Spannung - Breakover: 28 ~ 36V, Strom - Breakover: 100µA, Strom - Spitzenleistung: 2A, Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ), Paket / Koffer: SOD-123,

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SODDB3T RHG
Taiwan Semiconductor Corporation

SODDB3T RHG

Teilbestand: 45181

Spannung - Breakover: 30 ~ 34V, Strom - Breakover: 15µA, Strom - Spitzenleistung: 2A, Betriebstemperatur: -40°C ~ 125°C (TJ), Paket / Koffer: SOD-123,

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