Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Texas Instruments

CSD18542KTTT

Teilbestand: 36474

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), 170A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD18503KCS

Teilbestand: 41469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 75A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD18510Q5BT

Teilbestand: 42665

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 300A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 0.96 mOhm @ 32A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19536KTT

Teilbestand: 23209

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD13306WT

Teilbestand: 108720

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.5A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wunschzettel

Texas Instruments

TPS1100D

Teilbestand: 38187

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19531KCS

Teilbestand: 33304

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.7 mOhm @ 60A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19502Q5BT

Teilbestand: 40523

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.1 mOhm @ 19A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17575Q3T

Teilbestand: 85093

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.3 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17555Q5A

Teilbestand: 97865

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19532KTTT

Teilbestand: 23220

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.6 mOhm @ 90A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17581Q5AT

Teilbestand: 113015

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 16A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD18536KCS

Teilbestand: 14803

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.6 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

TPS1101DR

Teilbestand: 73839

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

TPS1101PWR

Teilbestand: 75502

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.18A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 2.5A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD16415Q5

Teilbestand: 63803

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.15 mOhm @ 40A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17302Q5A

Teilbestand: 174398

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Ta), 87A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.9 mOhm @ 14A, 8V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD25304W1015T

Teilbestand: 198583

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32.5 mOhm @ 1.5A, 4.5V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17505Q5A

Teilbestand: 97774

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD18514Q5AT

Teilbestand: 114274

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 89A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.9 mOhm @ 15A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD25404Q3

Teilbestand: 157558

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 104A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.5 mOhm @ 10A, 4.5V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19501KCS

Teilbestand: 33180

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.6 mOhm @ 60A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19536KCS

Teilbestand: 14108

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 150A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

TPS1100PWR

Teilbestand: 40040

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 15V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.27A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.7V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 180 mOhm @ 1.5A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19536KTTT

Teilbestand: 15225

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19534KCS

Teilbestand: 46065

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16.5 mOhm @ 30A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17312Q5

Teilbestand: 70136

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 38A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.5 mOhm @ 35A, 8V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD18532NQ5B

Teilbestand: 70876

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD16340Q3T

Teilbestand: 103637

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 8V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19532Q5B

Teilbestand: 65333

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.9 mOhm @ 17A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD19535KTTT

Teilbestand: 22830

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.4 mOhm @ 100A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD16408Q5

Teilbestand: 117032

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 113A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 25A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17578Q5A

Teilbestand: 169477

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6.9 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17311Q5

Teilbestand: 79702

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 mOhm @ 30A, 8V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17304Q3

Teilbestand: 179341

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Ta), 56A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.5 mOhm @ 17A, 8V,

Wunschzettel

Texas Instruments

CSD17303Q5

Teilbestand: 90699

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Ta), 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 3V, 8V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.4 mOhm @ 25A, 8V,

Wunschzettel

278

«
1
2
3
4
5
6
7
8
»