Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

CSD87501LT

CSD87501LT

Teilbestand: 108175

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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CSD87501L

CSD87501L

Teilbestand: 154135

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 250µA,

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CSD75207W15

CSD75207W15

Teilbestand: 132615

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 162 mOhm @ 1A, 1.8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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CSD87502Q2

CSD87502Q2

Teilbestand: 178572

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32.4 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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CSD86336Q3D

CSD86336Q3D

Teilbestand: 10837

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.1 mOhm @ 20A, 5V, 3.4 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA, 1.6V @ 250µA,

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CSD87335Q3DT

CSD87335Q3DT

Teilbestand: 56706

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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CSD86311W1723

CSD86311W1723

Teilbestand: 155741

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 2A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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CSD86356Q5D

CSD86356Q5D

Teilbestand: 10781

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.5 mOhm @ 20A, 5V, 0.8 mOhm @ 20A, 5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.85V @ 250µA, 1.5V @ 250µA,

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CSD87351ZQ5D

CSD87351ZQ5D

Teilbestand: 82239

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD87334Q3DT

CSD87334Q3DT

Teilbestand: 56420

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 12A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD88537NDT

CSD88537NDT

Teilbestand: 78894

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 250µA,

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CSD75208W1015T

CSD75208W1015T

Teilbestand: 192795

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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TPIC1502DW

TPIC1502DW

Teilbestand: 2715

FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 300 mOhm @ 1.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 1mA,

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CSD75204W15

CSD75204W15

Teilbestand: 2796

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3A, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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CSD75211W1723

CSD75211W1723

Teilbestand: 2778

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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CSD75205W1015

CSD75205W1015

Teilbestand: 2801

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.2A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 850mV @ 250µA,

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CSD87353Q5D

CSD87353Q5D

Teilbestand: 60491

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD87352Q5D

CSD87352Q5D

Teilbestand: 98681

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.15V @ 250µA,

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CSD87333Q3D

CSD87333Q3D

Teilbestand: 148026

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Asymmetrical, FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 14.3 mOhm @ 4A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.2V @ 250µA,

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CSD75208W1015

CSD75208W1015

Teilbestand: 129424

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual) Common Source, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 68 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.1V @ 250µA,

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CSD87330Q3D

CSD87330Q3D

Teilbestand: 109566

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD86330Q3D

CSD86330Q3D

Teilbestand: 82595

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 14A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD87351Q5D

CSD87351Q5D

Teilbestand: 82196

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 7.6 mOhm @ 20A, 8V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD87502Q2T

CSD87502Q2T

Teilbestand: 139751

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, 5V Drive, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32.4 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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CSD85302L

CSD85302L

Teilbestand: 146505

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard,

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CSD86360Q5D

CSD86360Q5D

Teilbestand: 67326

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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CSD88537ND

CSD88537ND

Teilbestand: 132851

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 15 mOhm @ 8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.6V @ 250µA,

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CSD87588N

CSD87588N

Teilbestand: 140862

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.6 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.9V @ 250µA,

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