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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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SISS40DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS40DN-T1-GE3

Teilbestand: 132140

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 21 mOhm @ 10A, 10V,

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SIS892ADN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS892ADN-T1-GE3

Teilbestand: 153441

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 33 mOhm @ 10A, 10V,

Wunschzettel
SQS462EN-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS462EN-T1_GE3

Teilbestand: 176128

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 63 mOhm @ 4.3A, 10V,

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SI2309CDS-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI2309CDS-T1-GE3

Teilbestand: 133640

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.6A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 345 mOhm @ 1.25A, 10V,

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SIR632DP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIR632DP-T1-RE3

Teilbestand: 46133

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 7.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SUD50N04-8M8P-4GE3
Vishay Siliconix

SUD50N04-8M8P-4GE3

Teilbestand: 180869

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ444EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ444EP-T1_GE3

Teilbestand: 136708

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.2 mOhm @ 10A, 10V,

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SI3483CDV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3483CDV-T1-E3

Teilbestand: 163997

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 6.1A, 10V,

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SI4116DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4116DY-T1-E3

Teilbestand: 132173

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.6 mOhm @ 10A, 10V,

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SISS70DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISS70DN-T1-GE3

Teilbestand: 7742

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 125V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8.5A (Ta), 31A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29.8 mOhm @ 8.5A, 10V,

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SQJ431AEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ431AEP-T1_GE3

Teilbestand: 7752

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9.4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 305 mOhm @ 3.8A, 10V,

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SI4168DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4168DY-T1-GE3

Teilbestand: 139862

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 20A, 10V,

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SIS476DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIS476DN-T1-GE3

Teilbestand: 139920

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.5 mOhm @ 15A, 10V,

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SI2312BDS-T1-E3
Vishay Siliconix

SI2312BDS-T1-E3

Teilbestand: 129611

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 31 mOhm @ 5A, 4.5V,

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SIJ478DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ478DP-T1-GE3

Teilbestand: 100614

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQS401ENW-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQS401ENW-T1_GE3

Teilbestand: 7505

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 12A, 10V,

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SI8816EDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8816EDB-T2-E1

Teilbestand: 154242

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 109 mOhm @ 1A, 10V,

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SIR414DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR414DP-T1-GE3

Teilbestand: 93996

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQ4080EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4080EY-T1_GE3

Teilbestand: 136730

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 18A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 85 mOhm @ 10A, 10V,

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SIHU7N60E-GE3
Vishay Siliconix

SIHU7N60E-GE3

Teilbestand: 83621

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 600V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 600 mOhm @ 3.5A, 10V,

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SI3430DV-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-GE3

Teilbestand: 180804

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SQ4435EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4435EY-T1_GE3

Teilbestand: 7729

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8A, 10V,

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SQ4410EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4410EY-T1_GE3

Teilbestand: 118930

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 15A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 12 mOhm @ 10A, 10V,

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SQJ858EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ858EP-T1_GE3

Teilbestand: 7678

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 75A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 6 mOhm @ 11A, 10V,

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SIR820DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIR820DP-T1-GE3

Teilbestand: 7711

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3 mOhm @ 15A, 10V,

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SQD100N02-3M5L_GE3
Vishay Siliconix

SQD100N02-3M5L_GE3

Teilbestand: 7693

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.5 mOhm @ 30A, 10V,

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SQJA94EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJA94EP-T1_GE3

Teilbestand: 165168

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 80V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 10A, 10V,

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SI3430DV-T1-E3
Vishay Siliconix

SI3430DV-T1-E3

Teilbestand: 180858

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 170 mOhm @ 2.4A, 10V,

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SIHD2N80E-GE3
Vishay Siliconix

SIHD2N80E-GE3

Teilbestand: 7705

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 800V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.8A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.75 Ohm @ 1A, 10V,

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SIJ462DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIJ462DP-T1-GE3

Teilbestand: 115885

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 46.5A(Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 mOhm @ 20A, 10V,

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SQJ840EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ840EP-T1_GE3

Teilbestand: 101267

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 10.3A, 10V,

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SQ4153EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4153EY-T1_GE3

Teilbestand: 7793

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 1.8V, 4.5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8.32 mOhm @ 14A, 4.5V,

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SI4630DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4630DY-T1-GE3

Teilbestand: 99320

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.7 mOhm @ 20A, 10V,

Wunschzettel
SIRA58ADP-T1-RE3
Vishay Siliconix

SIRA58ADP-T1-RE3

Teilbestand: 7640

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32.3A (Ta), 109A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.65 mOhm @ 15A, 10V,

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SI7686DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7686DP-T1-GE3

Teilbestand: 96713

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 13.8A, 10V,

Wunschzettel
SQJ464EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ464EP-T1_GE3

Teilbestand: 5838

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 32A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 17 mOhm @ 7.1A, 10V,

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