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Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays

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SI1034CX-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1034CX-T1-GE3

Teilbestand: 141761

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 396 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

Wunschzettel
SQ1922EEH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1922EEH-T1_GE3

Teilbestand: 2536

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 840mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 400mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

Wunschzettel
SQJB68EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB68EP-T1_GE3

Teilbestand: 2512

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 92 mOhm @ 4A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel
SIA906EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA906EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 181601

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 46 mOhm @ 3.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

Wunschzettel
SI7228DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7228DN-T1-GE3

Teilbestand: 108156

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 26A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 8.8A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

Wunschzettel
SIZ200DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ200DT-T1-GE3

Teilbestand: 2544

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 61A (Tc), 22A (Ta), 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 mOhm @ 10A, 10V, 5.8 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SI5908DC-T1-E3
Vishay Siliconix

SI5908DC-T1-E3

Teilbestand: 118929

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 40 mOhm @ 4.4A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SQJ912BEP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ912BEP-T1_GE3

Teilbestand: 2589

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2V @ 250µA,

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SQ1912EH-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ1912EH-T1_GE3

Teilbestand: 132067

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 800mA (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 280 mOhm @ 1.2A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.5V @ 250µA,

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SI7272DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7272DP-T1-GE3

Teilbestand: 110674

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 25A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI4931DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4931DY-T1-GE3

Teilbestand: 180864

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 8.9A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 350µA,

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SI4228DY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-GE3

Teilbestand: 190253

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SI8902AEDB-T2-E1
Vishay Siliconix

SI8902AEDB-T2-E1

Teilbestand: 3310

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 24V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 28 mOhm @ 1A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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SQJ960EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ960EP-T1_GE3

Teilbestand: 77437

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 36 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SIA527DJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA527DJ-T1-GE3

Teilbestand: 180836

FET-Typ: N and P-Channel, FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 12V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 5A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SIB912DK-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIB912DK-T1-GE3

Teilbestand: 125137

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.5A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 216 mOhm @ 1.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI9933CDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI9933CDY-T1-GE3

Teilbestand: 185277

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 4.8A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SI7942DP-T1-E3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-E3

Teilbestand: 63525

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

Wunschzettel
SI7922DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7922DN-T1-GE3

Teilbestand: 86516

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 195 mOhm @ 2.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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SI1036X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1036X-T1-GE3

Teilbestand: 2514

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 610mA (Ta), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 500mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI7956DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7956DP-T1-GE3

Teilbestand: 44000

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 150V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.6A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 105 mOhm @ 4.1A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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SI1024X-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1024X-T1-GE3

Teilbestand: 185794

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 485mA, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 600mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

Wunschzettel
SIA918EDJ-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIA918EDJ-T1-GE3

Teilbestand: 171457

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 58 mOhm @ 3A, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 900mV @ 250µA,

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SIZ730DT-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIZ730DT-T1-GE3

Teilbestand: 117470

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 16A, 35A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.3 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 250µA,

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SQ4940AEY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4940AEY-T1_GE3

Teilbestand: 158519

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 24 mOhm @ 5.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI4925DDY-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI4925DDY-T1-GE3

Teilbestand: 189530

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 29 mOhm @ 7.3A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3V @ 250µA,

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SIRB40DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SIRB40DP-T1-GE3

Teilbestand: 117423

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 3.25 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.4V @ 250µA,

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SQ4284EY-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQ4284EY-T1_GE3

Teilbestand: 100159

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 13.5 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SQJQ906EL-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJQ906EL-T1_GE3

Teilbestand: 63261

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SQJ958EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJ958EP-T1_GE3

Teilbestand: 2544

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34.9 mOhm @ 4.5A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.5V @ 250µA,

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SI7942DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7942DP-T1-GE3

Teilbestand: 63492

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 3.8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 49 mOhm @ 5.9A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 250µA,

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SI1967DH-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI1967DH-T1-GE3

Teilbestand: 103126

FET-Typ: 2 P-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 20V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.3A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 490 mOhm @ 910mA, 4.5V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1V @ 250µA,

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SI7252DP-T1-GE3
Vishay Siliconix

SI7252DP-T1-GE3

Teilbestand: 70505

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36.7A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 15A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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SQJB42EP-T1_GE3
Vishay Siliconix

SQJB42EP-T1_GE3

Teilbestand: 152436

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 9.5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.5V @ 250µA,

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SI4228DY-T1-E3
Vishay Siliconix

SI4228DY-T1-E3

Teilbestand: 190258

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), FET-Funktion: Logic Level Gate, Drain-Source-Spannung (Vdss): 25V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 8A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 18 mOhm @ 7A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 1.4V @ 250µA,

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SISF00DN-T1-GE3
Vishay Siliconix

SISF00DN-T1-GE3

Teilbestand: 2608

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual) Common Drain, FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 mOhm @ 10A, 10V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.1V @ 250µA,

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