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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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8AF05NPP
Vishay Semiconductor Diodes Division

8AF05NPP

Teilbestand: 119

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 50V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 50A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPS12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS12

Teilbestand: 112

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.17V @ 80A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPS08
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPS08

Teilbestand: 133

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.17V @ 80A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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80EPF12
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF12

Teilbestand: 126

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 480ns,

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80EPF10
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF10

Teilbestand: 66

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.35V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 480ns,

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80EPF06
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF06

Teilbestand: 72

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 190ns,

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80EPF02
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF02

Teilbestand: 115

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 190ns,

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80EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

80EPF04

Teilbestand: 115

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 80A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 80A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 190ns,

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8EWF10S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF10S

Teilbestand: 68

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 270ns,

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8EWF12S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF12S

Teilbestand: 20

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 270ns,

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8TQ100S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ100S

Teilbestand: 10015

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 100V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080S

Teilbestand: 9992

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ060
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ060

Teilbestand: 10041

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 60V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8TQ080
Vishay Semiconductor Diodes Division

8TQ080

Teilbestand: 5059

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 80V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 720mV @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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8EWS08S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWS08S

Teilbestand: 10060

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 8A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io),

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8EWF06S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06S

Teilbestand: 10034

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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8EWF06STRL
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF06STRL

Teilbestand: 10052

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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8EWF02S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF02S

Teilbestand: 10049

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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8EWF04S
Vishay Semiconductor Diodes Division

8EWF04S

Teilbestand: 9990

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.2V @ 8A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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85EPF04
Vishay Semiconductor Diodes Division

85EPF04

Teilbestand: 10073

Diodentyp: Standard, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 85A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.3V @ 85A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 190ns,

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95HQ015
Vishay Semiconductor Diodes Division

95HQ015

Teilbestand: 9931

Diodentyp: Schottky, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 15V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 95A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 460mV @ 95A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io),

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AS1PK-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PK-M3/85A

Teilbestand: 118702

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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AS1PJHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PJHM3/85A

Teilbestand: 157782

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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AR1PKHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PKHM3/85A

Teilbestand: 110954

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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AS1PG-M3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PG-M3/84A

Teilbestand: 115320

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel
AS1PKHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PKHM3/85A

Teilbestand: 183191

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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AR1PG-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PG-M3/85A

Teilbestand: 143525

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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AS1PGHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PGHM3/84A

Teilbestand: 192739

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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AR1PKHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PKHM3/84A

Teilbestand: 137027

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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AS1PKHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PKHM3/84A

Teilbestand: 186197

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

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AS1PDHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AS1PDHM3/85A

Teilbestand: 198666

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.5A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.15V @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.5µs,

Wunschzettel
AR1PGHM3/84A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PGHM3/84A

Teilbestand: 164199

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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AR1PMHM3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PMHM3/85A

Teilbestand: 131724

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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AR1PD-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PD-M3/85A

Teilbestand: 106984

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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AR1PM-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PM-M3/85A

Teilbestand: 130479

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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AR1PJ-M3/85A
Vishay Semiconductor Diodes Division

AR1PJ-M3/85A

Teilbestand: 147970

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.25V @ 1A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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