Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/86A

Teilbestand: 186584

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/86A

Teilbestand: 187999

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/I

Teilbestand: 135245

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/87A

Teilbestand: 127822

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/I

Teilbestand: 174356

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/H

Teilbestand: 177979

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/86A

Teilbestand: 109158

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/86A

Teilbestand: 184562

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/H

Teilbestand: 177979

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PDHM3_A/I

Teilbestand: 186864

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PK-M3/87A

Teilbestand: 148380

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PGHM3_A/H

Teilbestand: 128798

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/87A

Teilbestand: 155636

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PGHM3_A/I

Teilbestand: 186827

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PGHM3_A/H

Teilbestand: 121577

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJ-M3/87A

Teilbestand: 122155

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJ-M3/87A

Teilbestand: 128015

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/H

Teilbestand: 166052

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/87A

Teilbestand: 159290

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/H

Teilbestand: 121580

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PK-M3/86A

Teilbestand: 165935

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/87A

Teilbestand: 182163

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/I

Teilbestand: 174379

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/I

Teilbestand: 135168

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/86A

Teilbestand: 184511

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PKHM3_A/I

Teilbestand: 186833

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/I

Teilbestand: 128841

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PKHM3_A/I

Teilbestand: 135251

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PDHM3_A/H

Teilbestand: 121540

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/86A

Teilbestand: 102068

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PK-M3/86A

Teilbestand: 187986

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/H

Teilbestand: 122741

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/H

Teilbestand: 166073

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/H

Teilbestand: 122789

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PJ-M3/87A

Teilbestand: 142597

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PG-M3/86A

Teilbestand: 147505

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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