Dioden - Gleichrichter - Einzeln

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Dioden - Gleichrichter - Einzeln

Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PKHM3_A/H

Teilbestand: 122766

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PG-M3/86A

Teilbestand: 156118

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PGHM3_A/H

Teilbestand: 166071

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PG-M3/87A

Teilbestand: 193734

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJHM3_A/I

Teilbestand: 128845

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/86A

Teilbestand: 191634

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJHM3_A/I

Teilbestand: 127642

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/I

Teilbestand: 186811

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/I

Teilbestand: 174404

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PD-M3/87A

Teilbestand: 193813

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PJ-M3/86A

Teilbestand: 191604

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PDHM3_A/H

Teilbestand: 128759

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PMHM3_A/I

Teilbestand: 186880

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PJHM3_A/H

Teilbestand: 177930

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/87A

Teilbestand: 187656

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/86A

Teilbestand: 184541

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PM-M3/87A

Teilbestand: 157035

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PDHM3_A/I

Teilbestand: 174434

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PDHM3_A/I

Teilbestand: 174405

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU3PJ-M3/87A

Teilbestand: 193760

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.7A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PGHM3_A/I

Teilbestand: 128885

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/H

Teilbestand: 122728

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PMHM3_A/H

Teilbestand: 128756

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.1V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PG-M3/86A

Teilbestand: 164275

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PM-M3/87A

Teilbestand: 159938

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS3PD-M3/86A

Teilbestand: 148577

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.1A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 920mV @ 1.5A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.2µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PM-M3/87A

Teilbestand: 197456

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PD-M3/86A

Teilbestand: 171186

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PJHM3_A/H

Teilbestand: 166083

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 600V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PG-M3/87A

Teilbestand: 163453

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AS4PD-M3/86A

Teilbestand: 109249

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2.4A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 962mV @ 2A, Geschwindigkeit: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 1.8µs,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PMHM3_A/I

Teilbestand: 140691

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 1000V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.8A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR3PKHM3_A/H

Teilbestand: 166063

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 800V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 3A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 120ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PD-M3/87A

Teilbestand: 143683

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A (DC), Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AR4PDHM3_A/I

Teilbestand: 128914

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 200V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 2A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.6V @ 4A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 140ns,

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Vishay Semiconductor Diodes Division

AU2PGHM3_A/H

Teilbestand: 166086

Diodentyp: Avalanche, Spannung - DC-Rückwärts (Vr) (Max): 400V, Strom - Durchschnitt gleichgerichtet (Io): 1.6A, Spannung - Vorwärts (Vf) (Max) @ If: 1.9V @ 2A, Geschwindigkeit: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery-Zeit (trr): 75ns,

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