Transistoren - FETs, MOSFETs - Arrays | Diskrete Halbleiterprodukte | 1

CAS300M17BM2

Teilbestand: 115

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V (1.7kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 325A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 mOhm @ 225A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 15mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CAS300M12BM2

Teilbestand: 138

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 423A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.7 mOhm @ 300A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 15mA (Typ),

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Cree/Wolfspeed

CCS050M12CM2

Teilbestand: 184

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 87A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.3V @ 2.5mA,

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Cree/Wolfspeed

CCS020M12CM2

Teilbestand: 413

FET-Typ: 6 N-Channel (3-Phase Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 29.5A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.2V @ 1mA (Typ),

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CAS120M12BM2

Teilbestand: 257

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 193A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 120A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 2.6V @ 6mA (Typ),

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CAS325M12HM2

Teilbestand: 70

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Silicon Carbide (SiC), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 444A (Tc), Rds On (Max) @ ID, Vgs: 4.3 mOhm @ 400A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 4V @ 105mA,

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CAS100H12AM1

Teilbestand: 3335

FET-Typ: 2 N-Channel (Half Bridge), FET-Funktion: Standard, Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V (1.2kV), Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 168A, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 20 mOhm @ 20A, 20V, Vgs(th) (Max) @ ID: 3.1V @ 50mA,

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