Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

Zuhause
Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

C2M1000170J-TR

Teilbestand: 12544

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Wunschzettel

C3M0065090J-TR

Teilbestand: 6828

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C3M0120100K

Teilbestand: 8031

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

C3M0120090J-TR

Teilbestand: 10635

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

C3M0030090K

Teilbestand: 2469

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 63A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 39 mOhm @ 35A, 15V,

Wunschzettel

C2M0045170P

Teilbestand: 2736

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 59 mOhm @ 50A, 20V,

Wunschzettel

E3M0120090D

Teilbestand: 3307

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

C3M0280090J

Teilbestand: 19166

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wunschzettel

C3M0075120K

Teilbestand: 5595

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C3M0120100J

Teilbestand: 3965

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

CPMF-1200-S080B

CPMF-1200-S080B

Teilbestand: 2177

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 50A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Wunschzettel

C2M0025120D

Teilbestand: 1093

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 34 mOhm @ 50A, 20V,

Wunschzettel

C3M0280090J-TR

Teilbestand: 19172

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wunschzettel

C3M0065100J

Teilbestand: 2848

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C2M0080170P

Teilbestand: 2196

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 40A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 125 mOhm @ 28A, 20V,

Wunschzettel

CPMF-1200-S160B

CPMF-1200-S160B

Teilbestand: 2236

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 28A (Tj), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Wunschzettel

C2M0045170D

Teilbestand: 866

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 72A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 70 mOhm @ 50A, 20V,

Wunschzettel

C3M0280090D

Teilbestand: 20168

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wunschzettel

C3M0075120J

Teilbestand: 5794

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C3M0065100K

Teilbestand: 5808

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C3M0120090J

Teilbestand: 10579

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

CMF20120D

Teilbestand: 976

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 42A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 20A, 20V,

Wunschzettel

CMF10120D

Teilbestand: 1120

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 24A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 10A, 20V,

Wunschzettel

C3M0120090D

Teilbestand: 10936

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 23A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 155 mOhm @ 15A, 15V,

Wunschzettel

C2M0040120D

Teilbestand: 2045

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 60A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 52 mOhm @ 40A, 20V,

Wunschzettel

C2M0160120D

Teilbestand: 8382

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 19A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 196 mOhm @ 10A, 20V,

Wunschzettel

C3M0065100J-TR

Teilbestand: 93

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1000V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C2M1000170J

Teilbestand: 12480

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 5.3A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.4 Ohm @ 2A, 20V,

Wunschzettel

C3M0075120J-TR

Teilbestand: 280

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiC (Silicon Carbide Junction Transistor), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 30A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 90 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

E3M0065090D

Teilbestand: 9953

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 84.5 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

E3M0280090D

Teilbestand: 8442

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 11.5A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 360 mOhm @ 7.5A, 15V,

Wunschzettel

C3M0065090D

Teilbestand: 6981

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C3M0065090J

Teilbestand: 6843

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 900V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 35A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 15V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 78 mOhm @ 20A, 15V,

Wunschzettel

C2M0280120D

Teilbestand: 12900

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 10A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 370 mOhm @ 6A, 20V,

Wunschzettel

C2M1000170D

Teilbestand: 13276

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1700V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.9A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1.1 Ohm @ 2A, 20V,

Wunschzettel

C2M0080120D

Teilbestand: 4209

FET-Typ: N-Channel, Technologie: SiCFET (Silicon Carbide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 1200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 36A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 20V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 98 mOhm @ 20A, 20V,

Wunschzettel

36