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RFQs / Order.
0RFQs / Order.

Transistoren - Programmierbare Unijunction

2N6027
Central Semiconductor Corp

2N6027

Teilbestand: 76016

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 6V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.
2N6028
Central Semiconductor Corp

2N6028

Teilbestand: 75982

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 6V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
CMPP6028 TR
Central Semiconductor Corp

CMPP6028 TR

Teilbestand: 54052

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 167mW, Spannung - Ausgang: 6V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6028RLRMG
ON Semiconductor

2N6028RLRMG

Teilbestand: 2509

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6028RLRPG
ON Semiconductor

2N6028RLRPG

Teilbestand: 2537

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6027RL1G
ON Semiconductor

2N6027RL1G

Teilbestand: 2538

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.
2N6028RLRP
ON Semiconductor

2N6028RLRP

Teilbestand: 2531

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6027RL1
ON Semiconductor

2N6027RL1

Teilbestand: 2482

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.
2N6028G
ON Semiconductor

2N6028G

Teilbestand: 2534

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6027G
ON Semiconductor

2N6027G

Teilbestand: 2493

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.
2N6028RLRAG
ON Semiconductor

2N6028RLRAG

Teilbestand: 2505

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6027RLRAG
ON Semiconductor

2N6027RLRAG

Teilbestand: 2518

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.
2N6028RLRA
ON Semiconductor

2N6028RLRA

Teilbestand: 2522

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 600mV, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 25µA,

Wunschzettel.
2N6027RLRA
ON Semiconductor

2N6027RLRA

Teilbestand: 2457

Stromspannung: 40V, Verlustleistung (max.): 300mW, Spannung - Ausgang: 11V, Spannung - Offset (Vt): 1.6V, Strom - Gate-zu-Anoden-Leckage (Igao): 10nA, Strom - Tal (Iv): 50µA,

Wunschzettel.