Transistoren - JFETs

2SK3666-2-TB-E

Teilbestand: 158873

FET-Typ: N-Channel, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 180mV @ 1µA,

2N5116JTXL02

Teilbestand: 945

2N5116JTX02

Teilbestand: 1019

2N5116JTVL02

Teilbestand: 724

2N4392

Teilbestand: 3873

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 25mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 2V @ 1nA,

2N4859

Teilbestand: 1419

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4860

Teilbestand: 1372

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4092UB

Teilbestand: 1695

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V,

2N4860UB

Teilbestand: 1005

2N5115UB

Teilbestand: 1497

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4857

Teilbestand: 1371

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 100mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 500pA,

2N4392UB

Teilbestand: 2522

2N2609

Teilbestand: 256

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2mA @ 5V, Stromaufnahme (Id) - Max: 10mA, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 750mV @ 1A,

2N4091UB

Teilbestand: 1561

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V,

2N4092

Teilbestand: 2296

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 15mA @ 20V,

2N4858

Teilbestand: 1388

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 80mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4859UB

Teilbestand: 1010

2N4857UB

Teilbestand: 1002

2N4391

Teilbestand: 66304

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 50mA @ 20V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 1nA,

2N4856

Teilbestand: 1393

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 175mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 500pA,

2N4393UB

Teilbestand: 2593

2N4858UB

Teilbestand: 1010

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 15V,

2N3821

Teilbestand: 2866

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 50V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.5mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 4V @ 0.5nA,

2N4091

Teilbestand: 2228

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 30mA @ 20V,

2N3823

Teilbestand: 2889

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 20mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 8V @ 500pA,

2N5114

Teilbestand: 2096

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 90mA @ 18V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 10V @ 1nA,

2N5115

Teilbestand: 2081

FET-Typ: P-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 30V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 60mA @ 15V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 6V @ 1nA,

2N4391UB

Teilbestand: 2556

2N4093UB

Teilbestand: 1735

FET-Typ: N-Channel, Spannung - Durchbruch (V(BR)GSS): 40V, Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 8mA @ 20V,

2N4856UB

Teilbestand: 1030

2SK879-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 198791

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-GR(TE85L,F

Teilbestand: 405

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA,

2SK879-GR(TE85L,F)

Teilbestand: 389

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-O(TE85L,F)

Teilbestand: 342

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 600µA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK208-GR(TE85L,F)

Teilbestand: 340

FET-Typ: N-Channel, Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 2.6mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 400mV @ 100nA,

2SK2145-Y(TE85L,F)

Teilbestand: 123563

FET-Typ: 2 N-Channel (Dual), Strom - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0): 1.2mA @ 10V, Spannung - Cutoff (VGS aus) @ Id: 200mV @ 100nA,