Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

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Transistoren - FETs, MOSFETs - Single

DMPH4015SK3Q-13

Diodes Incorporated

DMPH4015SK3Q-13

Teilbestand: 153451

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 11 mOhm @ 9.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A25K

Teilbestand: 45

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMP4A16KTC

Teilbestand: 132124

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 6.6A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 60 mOhm @ 3.8A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMN4800LSS-13

Teilbestand: 147833

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 9A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 mOhm @ 9A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP4047SK3-13

Teilbestand: 118854

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 40V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 20A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 45 mOhm @ 4.4A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206AV

Teilbestand: 87204

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN6A25G

Teilbestand: 89

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 4.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 mOhm @ 3.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMT6004LPS-13

Teilbestand: 108071

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 22A (Ta), 90A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2.8 mOhm @ 25A, 10V,

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Diodes Incorporated

DMP6180SK3-13

Teilbestand: 177093

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 14A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 110 mOhm @ 12A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP2120GTC

Teilbestand: 9891

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 200mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 25 Ohm @ 150mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4310GTC

Teilbestand: 9817

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.67A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 540 mOhm @ 3.3A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOA

Teilbestand: 9876

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0540ASTOB

Teilbestand: 9873

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 400V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3310FTC

Teilbestand: 9787

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 100mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOB

Teilbestand: 9804

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN10A11GTC

Teilbestand: 5653

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.7A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 350 mOhm @ 2.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN3A01FTC

Teilbestand: 9882

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.8A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 120 mOhm @ 2.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2120A

Teilbestand: 9800

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2120GTC

Teilbestand: 9816

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 320mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2120ASTZ

Teilbestand: 9857

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 180mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP4105ASTOB

Teilbestand: 9807

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 50V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 175mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 10 Ohm @ 100mA, 5V,

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Diodes Incorporated

ZVP2110ASTOA

Teilbestand: 9880

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 230mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 8 Ohm @ 375mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOB

Teilbestand: 5985

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206GVTC

Teilbestand: 9835

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN3306ASTOA

Teilbestand: 9796

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 270mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2535ASTOA

Teilbestand: 9811

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 350V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 35 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM61N03FTC

Teilbestand: 9837

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 1.4A (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 220 mOhm @ 910mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXM62P03GTA

Teilbestand: 9884

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 30V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 2.9A (Ta), 4A (Tc), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 4.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 150 mOhm @ 1.6A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0124ZSTZ

Teilbestand: 9789

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 160mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 16 Ohm @ 250mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206AVSTOB

Teilbestand: 9831

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4206ASTOA

Teilbestand: 9826

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 600mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 1 Ohm @ 1.5A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVP0120ASTOA

Teilbestand: 9795

FET-Typ: P-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 200V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 110mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 32 Ohm @ 125mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN2106ASTOB

Teilbestand: 9805

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 60V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 450mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 2 Ohm @ 1A, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN4424ASTOB

Teilbestand: 9790

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 240V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 260mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 2.5V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 5.5 Ohm @ 500mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZVN0545ASTOB

Teilbestand: 9868

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 450V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 90mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 50 Ohm @ 100mA, 10V,

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Diodes Incorporated

ZXMN10A07FTC

Teilbestand: 6049

FET-Typ: N-Channel, Technologie: MOSFET (Metal Oxide), Drain-Source-Spannung (Vdss): 100V, Strom - Dauerentnahme (Id) bei 25°C: 700mA (Ta), Antriebsspannung (Max Rds Ein, Min Rds Ein): 6V, 10V, Rds On (Max) @ ID, Vgs: 700 mOhm @ 1.5A, 10V,

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